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1. (WO2007108106) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/108106    国際出願番号:    PCT/JP2006/305607
国際公開日: 27.09.2007 国際出願日: 20.03.2006
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01)
出願人: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630722 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUKUTOME, Hidenobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MOMIYAMA, Youichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUKUTOME, Hidenobu; (JP).
MOMIYAMA, Youichi; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-chome Shibuya-ku Tokyo 1506032 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device comprising a semiconductor substrate; a device element separating region provided on the semiconductor substrate so as to divide device element regions; and an active device element superimposed on the device element regions, wherein the device element separating region is composed of a device element separating groove for dividing of device element regions provided in the semiconductor substrate and a device element separating insulating film that fills the device element separating groove, and wherein at least part of the device element separating insulating film consists of a piezoelectric material film.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur, une région séparant les éléments du dispositif définie sur le substrat semi-conducteur pour diviser les régions d'éléments du dispositif, et un élément de dispositif actif superposé aux régions d'éléments du dispositif. La région séparant les éléments du dispositif comporte une rainure de séparation des éléments du dispositif formée dans le substrat semi-conducteur pour diviser les régions d'éléments du dispositif et une pellicule isolante de séparation des éléments du dispositif qui remplit la rainure de séparation des éléments du dispositif. Une partie au moins de la pellicule isolante de séparation des éléments du dispositif est faite d'une couche de matériau piézo-électrique.
(JA) 半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に、素子領域を画成するように形成された素子分離領域と、前記素子領域上に形成された活性素子とよりなり、前記素子分離領域は、前記半導体基板中に形成され前記素子領域を画成する素子分離溝と、前記素子分離溝を充填する素子分離絶縁膜とよりなり、前記素子分離絶縁膜の少なくとも一部は、圧電材料膜よりなる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)