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1. WO2007108102 - 半導体装置、および半導体素子選択方法

公開番号 WO/2007/108102
公開日 27.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2006/305592
国際出願日 20.03.2006
IPC
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 21/82 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H03F 1/00 2006.01
H電気
03基本電子回路
F増幅器
1増幅素子として電子管のみ,半導体装置のみまたは汎用素子のみを用いた増幅器の細部
H03K 17/14 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
14物理量,例.温度,の変化を補償するための変形
H03K 17/687 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56能動素子として半導体装置を用いるもの
687装置が電界効果トランジスタであるもの
CPC
H03F 2200/453
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
453Controlling being realised by adding a replica circuit or by using one among multiple identical circuits as a replica circuit
H03F 3/347
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
34Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
343with semiconductor devices only
347in integrated circuits
H03K 17/063
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
06Modifications for ensuring a fully conducting state
063in field-effect transistor switches
H03K 17/687
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
出願人
  • 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 〒2118588 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 Kanagawa 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP (AllExceptUS)
  • 古林 伸彦 KOBAYASHI, Nobuhiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 佐々木 孝朗 SASAKI, Takao [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 荒井 知之 ARAI, Tomoyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 工藤 真大 KUDO, Masahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 古林 伸彦 KOBAYASHI, Nobuhiko; JP
  • 佐々木 孝朗 SASAKI, Takao; JP
  • 荒井 知之 ARAI, Tomoyuki; JP
  • 工藤 真大 KUDO, Masahiro; JP
代理人
  • 大菅 義之 OSUGA, Yoshiyuki; 〒1020084 東京都千代田区二番町8番地20 二番町ビル3F Tokyo 3rd Fl., Nibancho Bldg., 8-20, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084, JP
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT SELECTING METHOD
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE SELECTION
(JA) 半導体装置、および半導体素子選択方法
要約
(EN)
It is possible to provide a semiconductor device capable of appropriately controlling characteristics to cope with irregularities of an element parameter of a semiconductor element. A semiconductor device includes: a monitor unit for measuring potential in a semiconductor circuit; an operation unit for operating a parameter of a semiconductor element constituting the semiconductor circuit in accordance with the measurement result; and an element selecting unit for selecting at least one of semiconductor elements to constitute the semiconductor circuit in the semiconductor device. The monitor unit includes copied elements of the semiconductor elements as selection objects and measures potential in the semiconductor circuit having the copied elements.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs capable de contrôler convenablement des caractéristiques pour gérer les irrégularités d'un paramètre d'élément d'un élément à semi-conducteurs. Ledit dispositif comprend : une unité de surveillance pour mesurer le potentiel d'un circuit à semi-conducteurs, une unité de fonctionnement pour faire fonctionner un paramètre d'un élément à semi-conducteurs constituant le circuit à semi-conducteurs conformément au résultat de la mesure, ainsi qu'une unité de sélection d'élément pour sélectionner au moins l'un des éléments à semi-conducteurs pour constituer le circuit à semi-conducteurs dans le dispositif à semi-conducteurs. L'unité de surveillance comprend des éléments copiés des éléments à semi-conducteurs, sous forme d'objets de sélection, et mesure le potentiel dans le circuit à semi-conducteurs ayant les éléments copiés.
(JA)
 半導体素子の素子パラメータのばらつきに対応して、特性を適切に制御することができる半導体装置を提供することを目的とし、半導体回路内の電位を測定するモニタ部と、その測定結果に対応して、その半導体回路を構成する半導体素子のパラメータを演算する演算部と、その演算結果に基づいて、半導体装置内の半導体回路を構成すべき複数の半導体素子の1つ以上を選択する素子選択部とを備え、またモニタ部は選択対象としての複数の半導体素子の複製素子を備え、その複製素子を含む半導体回路内の電位を測定する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報