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1. WO2007108094 - 光半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2007/108094
公開日 27.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2006/305562
国際出願日 20.03.2006
IPC
H01S 5/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
10光共振器の構造または形状
12周期構造を有する共振器,例.分布帰還型レーザにおけるもの
H01L 21/306 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
CPC
H01L 21/32139
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
32139using masks
H01S 5/0265
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
0265Intensity modulators
H01S 5/1064
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
1053Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
1064varying width along the optical axis
H01S 5/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feed-back [DFB] lasers
出願人
  • 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 〒2118588 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 Kanagawa 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP (AllExceptUS)
  • 苫米地 秀一 TOMABECHI, Shuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 苫米地 秀一 TOMABECHI, Shuichi; JP
代理人
  • 國分 孝悦 KOKUBUN, Takayoshi; 〒1700013 東京都豊島区東池袋1丁目17番8号 池袋TGホーメストビル5階 Tokyo 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building, 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013, JP
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF OPTIQUE A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 光半導体装置の製造方法
要約
(EN)
After a semiconductor layer group constituting a DFB laser is formed in a DFB laser area (51), the patterning of the semiconductor layer group is performed by using a mask having a width W1. Then, a semiconductor layer constituting an EA modulator is formed in an EA modulator area (52). Thereafter, a SiO2 film (11) is formed as a mask. The width W2 of the SiO2 film (11) in the DFB laser area (51) is larger than the width W1 in the EA modulator area (52).
(FR)
La présente invention concerne les cas où, après qu'un groupe de couches à semi-conducteurs constituant un laser DFB soit formé dans une zone à laser DFB (51), le motif du groupe de couches à semi-conducteurs est réalisé à l'aide d'un masque disposant d'une largeur (W1). Une couche à semi-conducteurs constituant un modulateur EA est formée dans une zone de modulateur EA (52). Par la suite, un film de SiO2 (11) est constitué sous forme de masque. La largeur (W2) du film de SiO2 (11) dans la zone de laser DFB (51) est supérieure à la largeur (W1) dans la zone du modulateur EA (52).
(JA)
 DFBレーザ領域(51)内にDFBレーザを構成する半導体層群を形成した後、幅がWのマスクを用いてこの半導体層群のパターニングを行う。次に、EA変調器領域(52)内にEA変調器を構成する半導体層を形成する。その後、マスクとしてSiO膜(11)を形成する。SiO膜(11)のDFBレーザ領域(51)内の幅Wは、EA変調器領域(52)内の幅Wより大きくする。
他の公開
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