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1. WO2007105798 - 基板アニール装置用の遮熱板

公開番号 WO/2007/105798
公開日 20.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/055236
国際出願日 15.03.2007
IPC
H01L 21/26 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
CPC
H01L 21/324
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
H01L 21/67103
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67103mainly by conduction
出願人
  • 株式会社IHI IHI Corporation [JP/JP]; 〒1358710 東京都江東区豊洲三丁目1番1号 Tokyo 1-1, Toyosu 3-chome, Koto-ku Tokyo 1358710, JP (AllExceptUS)
  • 石原 照正 ISHIHARA, Terumasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 橋本 孝治 HASHIMOTO, Takaharu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 水野 昌幸 MIZUNO, Masayuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 森田 勝 MORITA, Masaru [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 石原 照正 ISHIHARA, Terumasa; JP
  • 橋本 孝治 HASHIMOTO, Takaharu; JP
  • 水野 昌幸 MIZUNO, Masayuki; JP
  • 森田 勝 MORITA, Masaru; JP
代理人
  • 堀田 実 HOTTA, Minoru; 〒1080014 東京都港区芝五丁目26番20号 建築会館4階 アサ国際特許事務所 Tokyo ASA INTERNATIONAL PATENT FIRM 4F, Kenchiku-Kaikan 26-20, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1080014, JP
優先権情報
2006-07220116.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HEAT SHIELD PLATE FOR SUBSTRATE ANNEALING APPARATUS
(FR) PLAQUE DE PROTECTION THERMIQUE DESTINEE A UN APPAREIL DE RECUIT DE SUBSTRAT
(JA) 基板アニール装置用の遮熱板
要約
(EN)
A heat shield plate for a substrate annealing apparatus is provided with a flat-plate-like substrate (1) horizontally supported; a heater (5) positioned above the substrate for heating the upper surface of the substrate with radiation heat; and a heat shield plate (10) which can horizontally move between a shielding position for shielding the substrate from the heater and an open position out of the shielding position. The heat shield plate (10) is composed of a structure member (12) composed of a low thermal expansion material (carbon composite material) which is deformed little due to temperature difference at the shielding position, and a heat insulating member (14) which covers the upper surface of the structure member and keeps the surface at an allowable temperature or below.
(FR)
La présente invention concerne une plaque de protection thermique destinée à un appareil de recuit de substrat qui comprend : un substrat de type plaque plane (1) maintenu horizontalement ; un élément chauffant (5) disposé au-dessus du substrat afin de chauffer la surface supérieure du substrat avec un rayonnement thermique ; et une plaque de protection thermique (10) qui peut se déplacer horizontalement entre une position de protection destinée à protéger le substrat contre l'élément chauffant et une position ouverte provenant de la position de protection. La plaque de protection thermique (10) se compose d'un élément structure (12) en matériau à faible coefficient de dilatation thermique (matériau composite en carbone), qui se déforme peu à la suite d'un écart de température en position de protection, et d'un élément calorifuge (14) qui couvre la surface supérieure de l'élément structure et maintient la surface à une température admissible ou inférieure.
(JA)
 水平に支持された平板状の基板1と、基板の上方に位置し基板上面を輻射熱で加熱するヒータ5と、基板とヒータとの間を遮蔽する遮蔽位置とその間から外れた開放位置との間を水平移動可能な遮熱板10とを有する基板アニール装置用の遮熱板。遮熱板10は、遮蔽位置における温度差でほとんど変形しない低熱膨張材(カーボンコンポジット材)で構成された構造部材12と、構造部材の上面を覆いこれをその許容温度以下に保持する断熱部材14とからなる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報