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1. WO2007105727 - プラズマエッチング方法

公開番号 WO/2007/105727
公開日 20.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054965
国際出願日 13.03.2007
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
H01J 2237/334
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
33characterised by the type of processing
334Etching
H01J 37/32192
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
H01J 37/32449
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
32449Gas control, e.g. control of the gas flow
H01L 21/32137
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
32133by chemical means only
32135by vapour etching only
32136using plasmas
32137of silicon-containing layers
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 〒1078481 東京都港区赤坂五丁目3番6号 Tokyo 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481, JP (AllExceptUS)
  • 西塚 哲也 NISHIZUKA, Tetsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 西塚 哲也 NISHIZUKA, Tetsuya; JP
代理人
  • 吉武 賢次 YOSHITAKE, Kenji; 〒1000005 東京都千代田区丸の内三丁目2番3号 富士ビル323号 協和特許法律事務所 Tokyo Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
優先権情報
2006-06773513.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA ETCHING METHOD
(FR) PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA
(JA) プラズマエッチング方法
要約
(EN)
A method for performing etching process by using plasma of a processing gas. The etching process is performed to a body (W) to be processed, which has a substrate (101), base films (102, 103) formed on the substrate, and a film (104) which is to be etched and is formed on the base films. As the processing gas, a main etching gas composed of a chlorine containing gas and an oxygen containing gas, and a nitrogen containing gas is used. The etching method is characterized in that etching is performed under the conditions where the ratio N2+/N2 of the strength of N2+ obtained from the plasma emission spectrum to the strength of N2 is 0.6 or higher.
(FR)
La présente invention concerne un procédé destiné à réaliser une gravure au moyen de plasma d'un gaz de traitement. Le procédé de gravure est effectué sur un corps (W) à traiter, qui a un substrat (101), des films de base (102, 103) formés sur le substrat, et un film (104) devant être gravé et formé sur les films de base. En tant que gaz de traitement, on utilise un gaz principal de gravure composé d'un gaz contenant du chlore et d'un gaz contenant de l'oxygène et d'un gaz contenant de l'azote. Le procédé de gravure est caractérisé en ce que la gravure est effectuée dans les conditions où le rapport N2+/N2 de la force de N2+ obtenue à partir du spectre d'émission de plasma sur la force de N2 est supérieur ou égal à 0,6.
(JA)
 本発明は、処理ガスのプラズマを用いたエッチング処理を行う方法に関する。このエッチング処理は、基板(101)と、この基板上に形成された下地膜(102,103)と、この下地膜上に形成されたエッチング対象膜(104)とを有する被処理体(W)に対して行われる。処理ガスとして、塩素含有ガスおよび酸素含有ガスからなる主エッチングガスと、窒素含有ガスとを用いる。このエッチング方法は、プラズマの発光スペクトルから求められるN の強度とNの強度との比N /Nが0.6以上となるような条件でエッチングを行うことを特徴とする。
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