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World Intellectual Property Organization
1. (WO2007105676) マイクロチップ及びマイクロチップ製造用SOI基板

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/105676    国際出願番号:    PCT/JP2007/054794
国際公開日: 20.09.2007 国際出願日: 12.03.2007
G01N 33/53 (2006.01), G01N 37/00 (2006.01), G01R 29/24 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), C12M 1/00 (2006.01), C12N 15/09 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AKIYAMA, Shoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUBOTA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ITO, Atsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA, Koichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWAI, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOBISAKA, Yuuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AKIYAMA, Shoji; (JP).
KUBOTA, Yoshihiro; (JP).
ITO, Atsuo; (JP).
TANAKA, Koichi; (JP).
KAWAI, Makoto; (JP).
代理人: OHNO, Seiji; OHNO & PARTNERS, Kasumigaseki Building 36F, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006036 (JP)
2006-067804 13.03.2006 JP
(JA) マイクロチップ及びマイクロチップ製造用SOI基板
要約: front page image
(EN)Hydrogen ions are implanted on the front plane of a single crystal Si substrate (10), and a hydrogen ion implanted layer is formed on the front layer of the single crystal Si substrate (10). The single crystal Si substrate (10) whereupon the hydrogen ion implanted layer (11) is formed is bonded with a quartz substrate (20) by performing plasma processing and ozone processing to each of the bonding planes for cleaning and activating the surfaces. Then, an impact force is applied to the bonded substrates, a silicon thin film is peeled from a single crystal Si bulk section (13) along the hydrogen ion implanted layer (11), and an SOI substrate having an SOI layer (12) is obtained on the quartz substrate (20). On the front plane of the quartz substrate (20) of the SOI substrate obtained in such manner, recesses such as a hole and a micro flow channel are formed, processing required for a DNA chip and a microfluidics chip is performed, and a silicon semiconductor element for analyzing and evaluating a sample adhered and held in the recess is formed on the SOI layer (12).
(FR)Des ions hydrogène sont implantés sur le plan frontal d'un substrat (10) de mono cristal de Si, et une couche implantée d'ions hydrogènes est réalisée sur la couche frontale du substrat (10) de mono cristal de Si. Le substrat (10) de monocristal de Si sur lequel la couche (11) implantée d'ions hydrogène est réalisée est fixé sur un substrat (10) de quartz par application d'un procédé plasma et d'un procédé ozone à chacun des plans de contact, afin de nettoyer et d'activer les surfaces. Puis une force d'impact est appliquée aux substrats fixés, un film mince de silicone est pelé d'une section (13) massive de monocristal de Si, le long de la couche (11) implantée d'ions hydrogène, et un substrat SOI comportant une couche (12) de SOI est obtenu sur le substrat (20) de quartz. Sur le plan frontal du substrat (20) de quartz du substrat de SOI obtenu de cette manière, des cavités telles qu'un trou et un micro canal de flux sont réalisés, le traitement nécessaire pour une puce DNA et une puce micro fluidique est réalisé, et un élément semi-conducteur de silicone pour analyser et évaluer une exemple collé et maintenu dans la cavité, est réalisé sur la couche (12) SOI.
(JA) 単結晶Si基板(10)の表面に水素イオンを注入し、単結晶Si基板(10)の表層に水素イオン注入層を形成する。水素イオン注入層(11)を形成した単結晶Si基板(10)と石英基板(20)のそれぞれの接合面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施して貼り合わせる。そして、貼り合わされた基板に衝撃力を付与し、水素イオン注入層(11)に沿ってシリコン薄膜を単結晶Siのバルク部(13)から剥離し、石英基板(20)上にSOI層(12)を有するSOI基板を得る。このようにして得られたSOI基板の石英基板(20)の表面にホールやマイクロ流路などの凹部を形成してDNAチップやマイクロフルイディスクチップとして必要な加工を施し、SOI層(12)にはこの凹部に付着・保持された試料を分析・評価するためのシリコン半導体素子を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)