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1. WO2007105675 - 光電変換素子用基板の製造方法

公開番号 WO/2007/105675
公開日 20.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054793
国際出願日 12.03.2007
IPC
H01L 31/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
CPC
H01L 21/76254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76254with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
H01L 31/0687
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
068the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
0687Multiple junction or tandem solar cells
H01L 31/1804
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
H01L 31/1892
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1892methods involving the use of temporary, removable substrates
Y02E 10/544
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
544Solar cells from Group III-V materials
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
547Monocrystalline silicon PV cells
出願人
  • 信越化学工業株式会社 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. [JP/JP]; 〒1000005 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 Tokyo 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP (AllExceptUS)
  • 秋山 昌次 AKIYAMA, Shoji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 久保田 芳宏 KUBOTA, Yoshihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 伊藤 厚雄 ITO, Atsuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 川合 信 KAWAI, Makoto [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 飛坂 優二 TOBISAKA, Yuuji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 田中 好一 TANAKA, Koichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 秋山 昌次 AKIYAMA, Shoji; JP
  • 久保田 芳宏 KUBOTA, Yoshihiro; JP
  • 伊藤 厚雄 ITO, Atsuo; JP
  • 川合 信 KAWAI, Makoto; JP
  • 飛坂 優二 TOBISAKA, Yuuji; JP
  • 田中 好一 TANAKA, Koichi; JP
代理人
  • 大野 聖二 OHNO, Seiji; 〒1006036 東京都千代田区霞が関3丁目2番5号 霞が関ビル36階 大野総合法律事務所 Tokyo OHNO & PARTNERS, Kasumigaseki Building 36F, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006036, JP
優先権情報
2006-06779213.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRAT POUR ELEMENT DE CONVERSION PHOTOELECTRIQUE
(JA) 光電変換素子用基板の製造方法
要約
(EN)
On the surface of a silicon substrate (100), a silicon layer (10B) having a conductivity opposite to that of a bulk is arranged, hydrogen ions are injected into a prescribed depth (L) in a surface region through the silicon layer (10B), and a hydrogen ion injected layer (11) is formed. Then, a germanium crystal layer (20A) of the n-type, i.e., the conductivity type opposite to that of the silicon layer (10B), and a germanium crystal layer (20B) of the p-type, i.e., the conductivity type opposite to that of the germanium crystal layer (20A) are successively grown by vapor deposition, and a germanium crystal (20) is provided. The surface of the germanium crystal layer (20B) is bonded with the surface of the supporting substrate (30), and in such status, shock is applied from the external to separate a silicon crystal (10) from the silicon substrate (100), along the hydrogen ion injected layer (11), and a laminated structure of the germanium crystal (20) and the silicon crystal (10) is transferred (peeled) onto the supporting substrate (30).
(FR)
Sur la surface d'un substrat (100) silicone, une couche de silicone (10B) présentant une conductivité opposée de celle d'une masse est disposée, des ions hydrogène sont injectés dans une profondeur (L) prescrite dans une région de surface sur la couche de silicone (10B), et une couche (11) injectée d'ions hydrogène est réalisée. Ensuite une couche (20A) de cristal de germanium de type N, ç-à-d, du type de conductivité opposé de celle de la couche de silicone (10B), et une couche (20B) de cristal de germanium de type P, ç-à-d, du type de conductivité opposé de celle de la couche (20A) de cristal de germanium, sont successivement réalisées par croissance par déposition de vapeur, et un cristal de germanium (20) est réalisé. La surface de la couche (20B) de cristal de germanium est fixée sur la surface du substrat support (30), et dans un tel statut, un choc est appliqué depuis l'extérieur afin de séparer un cristal de silicone (10) du substrat de silicone (100), le long de la couche injectée d'ions hydrogène, et une structure laminée du cristal (20) de germanium et cristal (10) de silicone est transféré (pelé) sur le substrat support (30).
(JA)
 シリコン基板(100)の表面にバルクの導電型とは反対の導電型のシリコン層(10B)を設け、表面領域の所定の深さ(L)にシリコン層(10B)を介して水素イオンを注入して水素イオン注入層(11)を形成する。続いて、シリコン層(10B)と反対の導電型のn型のゲルマニウム系結晶層(20A)、および、ゲルマニウム系結晶層(20A)と反対の導電型のp型のゲルマニウム系結晶層(20B)を順次気相成長してゲルマニウム系結晶(20)を設ける。ゲルマニウム系結晶層(20B)の表面と支持基板(30)の表面とを貼り合わせ、この状態で外部から衝撃を付与して水素イオン注入層(11)に沿ってシリコン基板(100)からシリコン結晶(10)を分離して、ゲルマニウム系結晶(20)とシリコン結晶(10)の積層構造体を支持基板(30)上に転写(剥離)する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報