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1. WO2007105647 - 発光装置

公開番号 WO/2007/105647
公開日 20.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054709
国際出願日 09.03.2007
IPC
H01S 5/022 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
022マウント;ハウジング
H01L 33/48 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
CPC
H01L 33/483
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
483Containers
H01L 33/505
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
505characterised by the shape, e.g. plate or foil
H01L 33/507
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
507the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
H01S 5/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
005Optical devices external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
H01S 5/02212
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
02208Shape of the housing
02212Can-type, e.g. TO-9 housing with emission along or parallel to symmetry axis
H01S 5/02288
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
0228Out-coupling light
02288with a lens
出願人
  • 日亜化学工業株式会社 Nichia Corporation [JP/JP]; 〒7748601 徳島県阿南市上中町岡491番地100 Tokushima 491-100, Oka, Kaminaka-cho, Anan-shi, Tokushima7748601, JP (AllExceptUS)
  • 長濱 慎一 NAGAHAMA, Shinichi [JP/JP]; null (UsOnly)
  • 濱 敦智 HAMA, Atsutomo [JP/JP]; null (UsOnly)
  • 杉山 卓史 SUGIYAMA, Takafumi [JP/JP]; null (UsOnly)
  • 林 幸宏 HAYASHI, Yukihiro [JP/JP]; null (UsOnly)
  • 森住 直人 MORIZUMI, Naoto [JP/JP]; null (UsOnly)
  • 村崎 嘉典 MURAZAKI, Yoshinori [JP/JP]; null (UsOnly)
発明者
  • 長濱 慎一 NAGAHAMA, Shinichi; null
  • 濱 敦智 HAMA, Atsutomo; null
  • 杉山 卓史 SUGIYAMA, Takafumi; null
  • 林 幸宏 HAYASHI, Yukihiro; null
  • 森住 直人 MORIZUMI, Naoto; null
  • 村崎 嘉典 MURAZAKI, Yoshinori; null
代理人
  • 鈴江 武彦 SUZUYE, Takehiko; 〒1050001 東京都港区虎ノ門1丁目12番9号 鈴榮特許綜合事務所内 Tokyo c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku, Tokyo1050001, JP
優先権情報
2006-06640010.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT
(JA) 発光装置
要約
(EN)
Provided is a semiconductor light emitting device, which can enhance the brightness of a light coming from a laser diode and can emit the light to the outside. The semiconductor light emitting device comprises a support (11) having lead terminals (10), one or more laser diodes (12) mounted on the support, a cylindrical reflector (14) fixed on the support and arranged such that it encloses the laser diode (12), and having an optically reflecting face on its inner face, and a cap (15) held in the leading end portion of the opening of the reflector and arranged such that it covers the leading end face of the opening of the reflector (14), and equipped at its central portion with a fluorescent glass (16) of a solid state, which is excited by the light emitted from the laser diode (12), for emitting a light of a color different from the emission color of the laser diode (12).
(FR)
La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs, qui est en mesure d'améliorer la brillance d'une lumière en provenance d'une diode laser et est en mesure d'émettre la lumière vers l'extérieur. Le dispositif électroluminescent à semi-conducteurs comprend un support (11) comportant des bornes polaires en plomb (10), une ou plusieurs diodes laser (12) montées sur le support, un réflecteur cylindrique (14) fixé sur le support et disposé de manière à ce qu'il renferme la diode laser (12), et comportant une face optiquement réfléchissante sur sa face interne, et un capuchon (15) retenu dans la partie terminale avant de l'ouverture du réflecteur et disposé de manière à ce qu'il recouvre la face terminale avant de l'ouverture du réflecteur (14), et équipé dans sa partie centrale d'un verre fluorescent (16) d'un état solide, qui est excité par la lumière émise à partir de la diode laser (12), afin d'émettre une lumière d'une couleur différente de la couleur d'émission de la diode laser (12).
(JA)
 半導体発光装置において、レーザダイオードからの光の輝度を高めて外部へ出射することが開示されている。リード端子10を有する支持体11と、支持体上に実装された1個または複数個のレーザダイオード12と、レーザダイオード12の周囲を囲むように配置されて支持体に固定され、内面に光反射面が形成された筒状のリフレクタ14と、リフレクタ14の開口先端面を覆うように配設されてリフレクタの開口先端部に保持され、レーザダイオード12から放出される光で励起され、レーザダイオード12の発光色とは異なる色の発光を行う蛍光体を含む固形状の蛍光体ガラス16を中心部に有するキャップ15とを有する。
他の公開
US12232101
国際事務局に記録されている最新の書誌情報