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1. WO2007105626 - 発光素子

公開番号 WO/2007/105626
公開日 20.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054654
国際出願日 09.03.2007
IPC
H01L 33/20 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
20特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
H01L 33/40 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36電極に特徴があるもの
40材料
H01L 33/22 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
20特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
22粗面,凹凸面,例.エピタキシャル層の界面にあるもの
CPC
H01L 2933/0083
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0083Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
H01L 33/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
405Reflective materials
H01L 51/5268
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
52Details of devices
5262Arrangements for extracting light from the device
5268Scattering means
H01L 51/5275
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
52Details of devices
5262Arrangements for extracting light from the device
5275Refractive means, e.g. lens
出願人
  • 松下電工株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC WORKS, LTD. [JP/JP]; 〒5718686 大阪府門真市大字門真1048番地 Osaka 1048, Oaza-Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718686, JP (AllExceptUS)
  • 福島 博司 FUKUSHIMA, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 安田 正治 YASUDA, Masaharu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 山江 和幸 YAMAE, Kazuyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 福島 博司 FUKUSHIMA, Hiroshi; JP
  • 安田 正治 YASUDA, Masaharu; JP
  • 山江 和幸 YAMAE, Kazuyuki; JP
代理人
  • 小谷 悦司 KOTANI, Etsuji; 〒5300005 大阪府大阪市北区中之島2丁目2番2号ニチメンビル2階 Osaka Nichimen Building 2nd Floor 2-2, Nakanoshima 2-chome Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報
2006-06514110.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT
(JA) 発光素子
要約
(EN)
A light-emitting device comprises a semiconductor layer (1) including a light-emitting layer (12), a rough section (14) formed on the light take-out surface of the semiconductor layer (1) and having projections and recesses formed with a pitch longer than the wavelength of the light emitted from the light-emitting layer (12) in the semiconductor layer (1), and a reflective layer formed on the opposite side to a light take-out surface and having a reflectance of 90% or more. From a light-emitting device having such a structure, light is taken out efficiently thanks to the multiplier effect of the reflective layer and the rough section.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif électroluminescent qui comprend une couche semi-conductrice (1) incluant une couche électroluminescente (12), une section rugueuse (14) formée sur la surface d'extraction de lumière de la couche semi-conductrice (1) et comportant des saillies et des renfoncements formés avec un intervalle plus long que la longueur d'onde de la lumière émise à partir de la couche électroluminescente (12) dans la couche semi-conductrice (1), et une couche réfléchissante formée sur le côté opposé à une surface d'extraction de lumière et ayant un facteur de réflexion de 90 % ou plus. La lumière est extraite efficacement à partir d'un dispositif électroluminescent ayant une telle structure grâce à l'effet multiplicateur de la couche réfléchissante et de la section rugueuse.
(JA)
 本発明の発光素子は、発光層12を含む半導体層1と、半導体層1の光取り出し面に、発光層12から放出された光の半導体層1中での波長よりも大きなピッチで形成された凹凸からなる凹凸部14と、光取り出し面とは反対面に形成され、反射率が90%以上である反射層とを備える。このような構成の発光素子では、反射層と凹凸部との相乗効果によって効率良く光が取り出される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報