処理中

しばらくお待ちください...

PATENTSCOPE は、メンテナンスのため次の日時に数時間サービスを休止します。サービス休止: 日曜日 05.04.2020 (10:00 午前 CEST)
設定

設定

1. WO2007105593 - フォトダイオード、およびその製造方法、ならびに光通信デバイスおよび光インタコネクションモジュール

公開番号 WO/2007/105593
公開日 20.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054545
国際出願日 08.03.2007
IPC
H01L 31/108 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
108電位障壁がショットキー型であるもの
CPC
H01L 31/022408
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
H01L 31/1085
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102characterised by only one potential barrier or surface barrier
108the potential barrier being of the Schottky type
1085the devices being of the Metal-Semiconductor-Metal [MSM] Schottky barrier type
出願人
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP (AllExceptUS)
  • 藤方 潤一 FUJIKATA, Junichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 大橋 啓之 OHASHI, Keishi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 藤方 潤一 FUJIKATA, Junichi; JP
  • 大橋 啓之 OHASHI, Keishi; JP
代理人
  • 宮崎 昭夫 MIYAZAKI, Teruo; 〒1070052 東京都港区赤坂1丁目9番20号 第16興和ビル8階 Tokyo 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
優先権情報
2006-06759413.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTODIODE, METHOD FOR MANUFACTURING SUCH PHOTODIODE, OPTICAL COMMUNICATION DEVICE AND OPTICAL INTERCONNECTION MODULE
(FR) PHOTODIODE, PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE PHOTODIODE, DISPOSITIF DE COMMUNICATION OPTIQUE ET MODULE D'INTERCONNEXION OPTIQUE
(JA) フォトダイオード、およびその製造方法、ならびに光通信デバイスおよび光インタコネクションモジュール
要約
(EN)
Both high light receiving sensitivity and high speed of a photodiode are achieved at the same time. The photodiode is provided with a semiconductor layer (1) and a pair of metal electrodes (2) which are arranged on the surface of the semiconductor layer (1) at an interval (d) and form an MSM junction. The interval (d) satisfies the relationship of &lgr;>d>&lgr;/100, where &lgr; is the wavelength of incident light. The metal electrodes (2) can induce surface plasmon. At least one of the electrodes forms a Schottky junction with the semiconductor layer (1), and a low end portion is embedded in the semiconductor layer (1) to a position at a depth less than &lgr;/2n, where n is the refractive index of the semiconductor layer (1).
(FR)
La présente invention permet d'obtenir en même temps une sensibilité photoréceptrice élevée et une vitesse élevée d'une photodiode. La photodiode est munie d'une couche semi-conductrice (1) et d'une paire d'électrodes métalliques (2) qui sont disposées sur la surface de la couche semi-conductrice (1) à un intervalle (d) et forment une jonction MSM. L'intervalle (d) satisfait la relation de λ>d>λ/100, où λ est la longueur d'onde de la lumière incidente. Les électrodes métalliques (2) peuvent induire un plasmon en surface. Au moins une des électrodes forme une jonction Schottky avec la couche semi-conductrice (1), et une partie terminale basse est noyée dans la couche semi-conductrice (1) dans une position à une profondeur inférieure à λ/2n, où n est l'indice de réfraction de la couche semi-conductrice (1).
(JA)
 フォトダイオードの受光感度と高速性を両立させる。  フォトダイオードは、半導体層1と、半導体層1の表面に互いに間隔dをおいて配置され、MSM接合を形成する一対の金属電極2と、を有している。間隔dは、入射光の波長をλとしたときに、λ>d>λ/100の関係を満たしている。一対の金属電極2は、表面プラズモンを誘起することが可能で、少なくとも一方が半導体1層とショットキー接合を形成し、半導体層1の屈折率をnとしたときに、下端部がλ/2nより小さい深さとなる位置まで半導体層1に埋め込まれている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報