(EN) A melt processing region (131), which is large in the thickness direction of an object (1) to be processed and likely to produce cracks (24) in the thickness direction of the object (1), is formed in a silicon wafer (111) by irradiating it with a laser beam (L) having a standard pulse waveform, and a melt processing region (132), which is small in the thickness direction of the object (1) to be processed and hardly produces cracks (24) in the thickness direction of the object (1), is formed in a silicon wafer (112) by irradiating it with a laser beam (L) having a pulse waveform shifted backward.
(FR) La présente invention concerne une région de traitement par fusion (131), qui est étendue dans le sens de l'épaisseur d'un objet (1) à traiter et dont il est probable que des fissures (24) s'y produisent dans le sens de l'épaisseur de l'objet (1), qui est formée sur un tranche de silicium (111) en l'irradiant avec un faisceau laser (L) ayant une forme d'onde d'impulsion standard, et une région de traitement par fusion (132), qui est restreinte dans le sens de l'épaisseur de l'objet (1) à traiter et ne produit quasiment aucune fissure (24) dans le sens de l'épaisseur de l'objet (1), qui est formée sur un tranche de silicium (112) en l'irradiant avec un faisceau laser (L) ayant une forme d'onde d'impulsion décalée vers l'arrière.
(JA) 標準のパルス波形を有するレーザ光Ｌを照射することで、加工対象物１の厚さ方向の大きさが大きく、且つ加工対象物１の厚さ方向に割れ２４を発生させ易い溶融処理領域１３１をシリコンウェハ１１１の内部に形成すると共に、後よりのパルス波形を有するレーザ光Ｌを照射することで、加工対象物１の厚さ方向の大きさが小さく、且つ加工対象物１の厚さ方向に割れ２４を発生させ難い溶融処理領域１３２をシリコンウェハ１１２の内部に形成する。
