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1. WO2007105510 - 熱電モジュール及びその製造方法

公開番号 WO/2007/105510
公開日 20.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054173
国際出願日 05.03.2007
IPC
H01L 35/32 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
35異種材料の接合からなる熱電装置,すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
28ペルチェ効果またはゼーベック効果だけで動作するもの
32装置を形成するセルまたは熱電対の構造または配列に特徴のあるもの
CPC
H01L 35/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
35Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
28operating with Peltier or Seebeck effect only
32characterised by the structure or configuration of the cell or thermo-couple forming the device ; including details about, e.g., housing, insulation, geometry, module
出願人
  • モリックス株式会社 MORIX CO., LTD. [JP/JP]; 〒4850059 愛知県小牧市小木東二丁目87番地 Aichi 87, Kokihigashi 2-chome, Komaki-shi, Aichi 4850059, JP (AllExceptUS)
  • 森野 勲 MORINO, Isao [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 上地 安良 UECHI, Yasuyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 森野 勲 MORINO, Isao; JP
  • 上地 安良 UECHI, Yasuyoshi; JP
代理人
  • 根本 恵司 NEMOTO, Keiji; 〒1050003 東京都港区西新橋2丁目4番3号 プロス西新橋ビル4F 英伸国際特許事務所 Tokyo Eishin Patent Office, Pros Nishi-shimbashi bldg.4F, 4-3, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報
2006-06633910.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) THERMOELECTRIC MODULE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) MODULE THERMOELECTRIQUE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
(JA) 熱電モジュール及びその製造方法
要約
(EN)
With respect to a thermoelectric module structured so that nearly the central part of each thermoelectric semiconductor crystal is retained by a substrate and so that both end faces of the thermoelectric semiconductor crystal are connected to electrodes, it is intended to prevent any drop of mechanical strength by soldering failure for the electrodes. There is provided a structure wherein nearly the central part of each thermoelectric semiconductor crystal (202) is retained by support substrate (201) and wherein both end faces of the thermoelectric semiconductor crystal (202) are connected to electrodes (203,204). Hot melt material sheet (205) is stuck to an upper surface of the support substrate (201) in accordance with a vacuum laminating technique, etc. In the production process, the hot melt material melted by heating attains fusion bonding of the thermoelectric semiconductor crystal (202) to the support substrate (201).
(FR)
La présente invention concerne, relativement à un module thermoélectrique structuré, de sorte que quasiment la partie centrale de chaque cristal semi-conducteur thermoélectrique soit retenue par un substrat et de sorte que les deux faces d'extrémité du cristal semi-conducteur thermoélectrique soient raccordées aux électrodes, un système destiné à empêcher toute chute de la résistance mécanique en soudant la défaillance pour les électrodes. L'invention concerne une structure dans laquelle quasiment la partie centrale de chaque cristal semi-conducteur thermoélectrique (202) est retenue par le substrat de soutien (201) et où les deux faces d'extrémité du cristal semi-conducteur thermoélectrique (202) sont reliées aux électrodes (203, 204). Une feuille du matériau fondue à chaud (205) est collée à une surface supérieure du substrat de soutien (201) conformément à une technique de stratification à vide, etc. Dans le procédé de production, le matériau fondu a chaud atteint une liaison par fusion du cristal semi-conducteur thermoélectrique (202) sur le substrat de soutien (201).
(JA)
 熱電半導体結晶の略中央部を基板により保持すると共に、熱電半導体結晶の両端面に電極を接続した構造を有する熱電モジュールにおいて、電極のハンダ付け不良による機械的強度の低下を防止する。  熱電半導体結晶(202)の略中央部を支持基板(201)により保持すると共に、熱電半導体結晶(202)の両端面に電極(203),(204)を接続した構造を有する。支持基板(201)の上面には、ホットメルト材シート(205)が真空ラミネート法などにより接合されている。製造工程にて加熱により溶解したホットメルト材により、熱電半導体結晶(202)が支持基板(201)に溶着される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報