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1. (WO2007105510) 熱電モジュール及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/105510    国際出願番号:    PCT/JP2007/054173
国際公開日: 20.09.2007 国際出願日: 05.03.2007
IPC:
H01L 35/32 (2006.01)
出願人: MORIX CO., LTD. [JP/JP]; 87, Kokihigashi 2-chome, Komaki-shi, Aichi 4850059 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORINO, Isao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UECHI, Yasuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORINO, Isao; (JP).
UECHI, Yasuyoshi; (JP)
代理人: NEMOTO, Keiji; Eishin Patent Office, Pros Nishi-shimbashi bldg.4F, 4-3, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2006-066339 10.03.2006 JP
発明の名称: (EN) THERMOELECTRIC MODULE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) MODULE THERMOELECTRIQUE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
(JA) 熱電モジュール及びその製造方法
要約: front page image
(EN)With respect to a thermoelectric module structured so that nearly the central part of each thermoelectric semiconductor crystal is retained by a substrate and so that both end faces of the thermoelectric semiconductor crystal are connected to electrodes, it is intended to prevent any drop of mechanical strength by soldering failure for the electrodes. There is provided a structure wherein nearly the central part of each thermoelectric semiconductor crystal (202) is retained by support substrate (201) and wherein both end faces of the thermoelectric semiconductor crystal (202) are connected to electrodes (203,204). Hot melt material sheet (205) is stuck to an upper surface of the support substrate (201) in accordance with a vacuum laminating technique, etc. In the production process, the hot melt material melted by heating attains fusion bonding of the thermoelectric semiconductor crystal (202) to the support substrate (201).
(FR)La présente invention concerne, relativement à un module thermoélectrique structuré, de sorte que quasiment la partie centrale de chaque cristal semi-conducteur thermoélectrique soit retenue par un substrat et de sorte que les deux faces d'extrémité du cristal semi-conducteur thermoélectrique soient raccordées aux électrodes, un système destiné à empêcher toute chute de la résistance mécanique en soudant la défaillance pour les électrodes. L'invention concerne une structure dans laquelle quasiment la partie centrale de chaque cristal semi-conducteur thermoélectrique (202) est retenue par le substrat de soutien (201) et où les deux faces d'extrémité du cristal semi-conducteur thermoélectrique (202) sont reliées aux électrodes (203, 204). Une feuille du matériau fondue à chaud (205) est collée à une surface supérieure du substrat de soutien (201) conformément à une technique de stratification à vide, etc. Dans le procédé de production, le matériau fondu a chaud atteint une liaison par fusion du cristal semi-conducteur thermoélectrique (202) sur le substrat de soutien (201).
(JA) 熱電半導体結晶の略中央部を基板により保持すると共に、熱電半導体結晶の両端面に電極を接続した構造を有する熱電モジュールにおいて、電極のハンダ付け不良による機械的強度の低下を防止する。  熱電半導体結晶(202)の略中央部を支持基板(201)により保持すると共に、熱電半導体結晶(202)の両端面に電極(203),(204)を接続した構造を有する。支持基板(201)の上面には、ホットメルト材シート(205)が真空ラミネート法などにより接合されている。製造工程にて加熱により溶解したホットメルト材により、熱電半導体結晶(202)が支持基板(201)に溶着される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)