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1. WO2007105432 - Ti系膜の成膜方法および記憶媒体

公開番号 WO/2007/105432
公開日 20.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/053152
国際出願日 21.02.2007
IPC
C23C 16/44 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
C23C 16/14 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06金属質材料の析出に特徴のあるもの
08金属ハロゲン化物からのもの
14その他の1金属元素のみの析出
CPC
C23C 16/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
06characterised by the deposition of metallic material
08from metal halides
14Deposition of only one other metal element
C23C 16/4405
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
C23C 16/56
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
56After-treatment
C23C 8/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
8Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces
06using gases
36using ionised gases, e.g. ionitriding
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 〒1078481 東京都港区赤坂五丁目3番6号 Tokyo 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481, JP (AllExceptUS)
  • 成嶋 健索 NARUSHIMA, Kensaku [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 若林 哲 WAKABAYASHI, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 多田 國弘 TADA, Kunihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 成嶋 健索 NARUSHIMA, Kensaku; JP
  • 若林 哲 WAKABAYASHI, Satoshi; JP
  • 多田 國弘 TADA, Kunihiro; JP
代理人
  • 高山 宏志 TAKAYAMA, Hiroshi; 〒1020093 東京都千代田区平河町一丁目7番20号 平河町辻田ビル2階 Tokyo Hirakawacho Tsujita Bldg. 2F 1-7-20 Hirakawacho, Chiyoda-ku Tokyo 1020093, JP
優先権情報
2006-04831124.02.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR FORMING Ti-BASED FILM AND STORAGE MEDIUM
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM A BASE DE Ti ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) Ti系膜の成膜方法および記憶媒体
要約
(EN)
In a chamber (31) for storing a wafer (W), a Ti film is formed on the surface of the wafer (W) arranged in the chamber (31) by discharging a processing gas including a TiCl4 gas from a shower head (40) whose at least surface is composed of a Ni containing material. The Ti film is formed on a prescribed number of wafers (W) by setting the temperature of the shower head (40) at 300°C or higher but lower than 450°C, and a TiCl4 gas flow quantity at 1-12mL/min(sccm) or TiCl4 partial pressure at 0.1-2.5Pa. Then, ClF3 gas is introduced into the chamber (31) by setting the temperature of the shower head (40) at 200-300°C, and the inside of the chamber (31) is cleaned.
(FR)
Selon la présente invention, dans une chambre (31) destinée au stockage d'une galette (W), un film à base de Ti est formé sur la surface de la galette (W) disposée dans la chambre (31) en libérant un gaz de traitement comprenant un gaz TiCl4 provenant d'une tête de douche (40) dont au moins la surface est composée d'un matériau contenant du Ni. Le film à base de Ti est formé sur un nombre prédéfini de galettes (W) en établissant la température de la tête de douche (40) à une valeur supérieure ou égale à 300 °C mais inférieure à 450 °C, et le débit du gaz TiCl4 à une valeur allant de 1 à 12 mL/min (cm3/min) ou une pression partielle en TiCl4 à une valeur allant de 0,1 à 2,5 Pa. Puis, le gaz ClF3 est introduit dans la chambre (31) en établissant la température de la tête de douche (40) à une valeur allant de 200 à 300 °C, et l'intérieur de la chambre (31) est nettoyé.
(JA)
 ウエハWを収容するチャンバ31内において、少なくとも表面がNi含有材料からなるシャワーヘッド40からTiClガスを含む処理ガスを吐出させてチャンバ31内に配置されたウエハWの表面にTi膜を成膜するにあたり、シャワーヘッド40の温度を300°C以上450°C未満の温度にし、TiClガス流量を1~12mL/min(sccm)にするか、またはTiClガス分圧を0.1~2.5Paにして所定枚数のウエハWに対してTi膜を成膜し、その後、シャワーヘッド40の温度を200~300°Cにしてチャンバ31内にClFガスを導入してチャンバ31内をクリーニングする。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報