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1. WO2007105406 - 投影光学系、露光装置および半導体デバイスの製造方法

公開番号 WO/2007/105406
公開日 20.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/052772
国際出願日 15.02.2007
IPC
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
G02B 13/14 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
13以下に詳細に記載される目的のために特に設計された対物レンズ
14赤外線または紫外線で使うもの
G02B 13/24 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
13以下に詳細に記載される目的のために特に設計された対物レンズ
24短物体距離にて複製または複写に使用するもの
G02B 17/00 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
17反射面を有し,かつ屈折素子をもちまたはもたない系
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
CPC
G02B 17/0663
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
17Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
06using mirrors only ; , i.e. having only one curved mirror
0647using more than three curved mirrors
0663off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
G02B 5/0891
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
08Mirrors
0891Ultraviolet [UV] mirrors
G03F 7/70941
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
708Construction of apparatus, e.g. environment, hygiene aspects or materials
70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution, removing pollutants from apparatus; electromagnetic and electrostatic-charge pollution
70941Stray fields and charges, e.g. stray light, scattered light, flare, transmission loss
G03F 7/70983
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
708Construction of apparatus, e.g. environment, hygiene aspects or materials
70983Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
G21K 1/062
GPHYSICS
21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
1Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
06using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
062Devices having a multilayer structure
出願人
  • 株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 〒1008331 東京都千代田区丸の内三丁目2番3号 Tokyo 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331, JP (AllExceptUS)
  • 村上 勝彦 MURAKAMI, Katsuhiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 小宮 毅治 KOMIYA, Takaharu [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 村上 勝彦 MURAKAMI, Katsuhiko; JP
  • 小宮 毅治 KOMIYA, Takaharu; JP
代理人
  • 特許業務法人オカダ・フシミ・ヒラノ OKADA, FUSHIMI AND HIRANO, PC; 〒1020074 東京都千代田区九段南3丁目2番7号、NE九段ビル Tokyo NE Kudan Bldg., 2-7, Kudan-minami 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020074, JP
優先権情報
2006-06658310.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROJECTION OPTICAL SYSTEM, ALIGNER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SYSTEME OPTIQUE DE PROJECTION, ALIGNEUR ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 投影光学系、露光装置および半導体デバイスの製造方法
要約
(EN)
A projection optical system in which OoB irradiation dose on a wafer is reduced while degradation in optical characteristics is suppressed. The projection optical system comprises a first reflector exhibiting a reflectivity lower than a predetermined value to a second wavelength light different from a predetermined first wavelength light, and a second reflector exhibiting a reflectivity higher than the predetermined value to the second wavelength light. When the reflectors in the projection optical system is classified as reflectors (M1, M2, M5, M6) having a high ratio of overlapped reflection regions corresponding to two different points on the wafer, and reflectors (M3, M4) having a low ratio of overlapped reflection regions the uppermost stream reflector (M3) in the optical path of the projection optical system out of reflectors having a low ration of overlapped reflection regions is the second reflector.
(FR)
La présente invention concerne un système optique de projection dans lequel une dose d'irradiation OoB sur une tranche est réduite tandis qu'une dégradation en termes de caractéristiques optiques est supprimée. Le système optique de projection comprend un premier réflecteur présentant une réflectivité inférieure à une valeur prédéterminée par rapport à une lumière de seconde longueur d'onde différente par rapport à une lumière de première longueur d'onde prédéterminée, et un second réflecteur présentant une réflectivité supérieure à la valeur prédéterminée par rapport à la lumière de seconde longueur d'onde. Lorsque les réflecteurs dans le système optique de projection sont classés en tant que réflecteurs (M1, M2, M5, M6) ayant une proportion élevée de régions de réflexion superposées correspondant à deux différents points sur la tranche, et réflecteurs (M3, M4) ayant une faible proportion de régions de réflexion superposées, le réflecteur le plus en amont (M3) dans le trajet optique du système optique de projection parmi les réflecteurs ayant une faible proportion de régions de réflexion superposées est le second réflecteur.
(JA)
 光学特性の劣化を抑えながら、ウェハ上のOoB照射量を低減した投影光学系を提供する。本発明による投影光学系は、所定の第1波長光とは異なる第2波長光に対する反射率が所定反射率よりも低い第1反射鏡と、前記第2波長光に対する反射率が前記所定反射率よりも高い第2反射鏡と、を有する。投影光学系の反射鏡を、ウェハ上の異なる2点に対応する反射領域が重なり合う比率が大きい反射鏡(M1、M2、M5、M6)と、反射領域が重なり合う比率が小さい反射鏡(M3、M4)と、に分類した場合に、反射領域が重なり合う比率が小さい反射鏡のうち、投影光学系の光路において最上流の反射鏡(M3)を第2反射鏡とする。
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