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World Intellectual Property Organization
1. (WO2007105368) 半導体パッケージの実装装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/105368    国際出願番号:    PCT/JP2007/000185
国際公開日: 20.09.2007 国際出願日: 08.03.2007
H01L 23/427 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAGI, Kazutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAGI, Kazutaka; (JP)
代理人: AMAGI INTERNATIONAL PATENT LAW OFFICE; SOLID SQUARE EAST TOWER 4F 580, Horikawa-cho, Saiwai-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 2120013 (JP)
2006-065767 10.03.2006 JP
(JA) 半導体パッケージの実装装置
要約: front page image
(EN)In a package (13), a power amplifier semiconductor element is mounted to have a heat dissipating base surface as a high frequency ground. The package is flip-mounted, in a vertically inverted manner, on a recessed section (12) formed on a case (11) whose heat dissipating surface is the same as a high frequency ground. Since the heat dissipating base surface of the package (13) is at the top, a cooling mechanism (14) which is thermally independent from the case (11) is arranged. A cooling mechanism (14) is composed of a heat dissipating fin (15) and a heat pipe (16). As the cooling mechanism of the power amplifier semiconductor element is independently arranged, the semiconductor element is prevented from being thermally affected by other electronic component devices, and degree of freedom in cooling system design is remarkably increased.
(FR)Dans un paquet (13), un élément semi-conducteur amplificateur de puissance est monté avec une surface de base dissipatrice de chaleur et une masse haute fréquence. Le paquet est monté renversé, d'une manière inversée verticalement, sur une section (12) enfoncée, formée sur un boîtier (11) dont la surface dissipatrice de chaleur est la même que la masse haute fréquence. Puisque la surface de base dissipatrice de chaleur du paquet (13) est au dessus, un mécanisme de refroidissement (14) qui est thermiquement indépendant du boîtier (11) est configuré. Un mécanisme (14) de refroidissement est composé d'une ailette (15) dissipatrice de chaleur et d'un caloduc (16). Comme le mécanisme de refroidissement de l'élément semi-conducteur amplificateur de puissance est configuré indépendamment, l'élément semi-conducteur ne peut être thermiquement affecté par d'autres dispositifs de composant électronique, et le degré de liberté dans la conception de système de refroidissement est remarquablement augmenté.
(JA) 高周波グランドと放熱面が同じである筐体11に形成された凹部12に、放熱べ一ス面が高周波グランドとなるように電力増幅用半導体素子が実装されたパッケージ13を上下反転した状態でフリップ実装を行う。パッケージ13の放熱ベース面が上方向になるので、ここに筐体11とは熱的に独立した冷却機構14を設置する。冷却機構14は放熱フィン15とヒートパイプ16で構成されている。電力増幅用半導体素子の冷却機構が独立になるので、他の電子部品装置との熱的影響を防止し冷却システムの設計の自由度が大幅に向上できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)