処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

1. WO2007105261 - 層間絶縁膜のドライエッチング方法

公開番号 WO/2007/105261
公開日 20.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2006/304625
国際出願日 09.03.2006
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
H01L 21/31116
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31105Etching inorganic layers
31111by chemical means
31116by dry-etching
H01L 21/31138
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31127Etching organic layers
31133by chemical means
31138by dry-etching
H01L 21/31144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31144using masks
出願人
  • 株式会社フィルテック PHILTECH INC. [JP/JP]; 〒1020083 東京都千代田区麹町4-3-4 Tokyo 4-3-4, Kojimachi, Chiyoda-ku Tokyo 1020083, JP (AllExceptUS)
  • 林 俊雄 HAYASHI, Toshio [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 林 俊雄 HAYASHI, Toshio; JP
代理人
  • KURIHARA, Hiroyuki; Kurihara International Patent Office Iwasaki Bldg. 6F 3-15, Hiroo 1-chome Shibuya-ku, Tokyo 1500012, JP
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD OF DRY ETCHING OF INTERLAYER INSULATION FILM
(FR) PROCEDE DE GRAVURE SECHE DE FILM D'ISOLATION INTERCOUCHE
(JA) 層間絶縁膜のドライエッチング方法
要約
(EN)
In the microfabrication of hole and trench through dry etching, in a plasma atmosphere, of an interlayer insulation film covered with a resist mask formed by ArF photolithography, as the etching gas, use is made of a halogen (F, I, Br) base gas consisting of a gas of fluorinated carbon compound wherein at least one of I and Br is contained in an amount, in terms of atomic composition ratio, of 26% or less based on the total amount of halogens and the rest consists of F. As a result, the occurrence of striation is suppressed and high etching processing accuracy can be attained.
(FR)
Dans la microfabrication d'un orifice et d'une tranchée par le biais de la gravure sèche, dans une atmosphère de plasma, d'un film d'isolation intercouche recouvert d'un masque de résist formé par photolithographie ArF, en tant que gaz de gravure, on fait usage d'un gaz à base d'halogène (F, I, Br) consistant en un gaz de composé de carbone fluoré dans lequel au moins un parmi I et Br est contenu dans une quantité, en termes de rapport de composition atomique, de 26 % sur la base de la quantité totale d'halogènes et le reste consiste en F. Par conséquent, l'apparition d'une striation est supprimée et une précision de traitement par gravure élevée peut être atteinte.
(JA)
ArFフォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をプラズマ雰囲気中でドライエッチングしてホール、トレンチを微細加工する際に、エッチングガスとして、ハロゲン系ガス(ハロゲンは、F、I、Br)であって、I及びBrの少なくとも一方が、原子組成比でハロゲンの総量の26%以下で、残りがFであるフッ化炭素化合物ガスを用いる。これによりストリエーションの発生が抑制されて高いエッチング加工精度が得られるようになる。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報