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1. WO2007102610 - 単結晶の育成方法

公開番号 WO/2007/102610
公開日 13.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054744
国際出願日 05.03.2007
IPC
C30B 29/38 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
C30B 9/10 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
9溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長
04溶液の冷却によるもの
08他の溶媒を用いるもの
10金属溶媒
CPC
C30B 17/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
17Single-crystal growth onto a seed which remains in the melt during growth, e.g. Nacken-Kyropoulos method
C30B 19/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
02using molten solvents, e.g. flux
C30B 19/063
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
06Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
063Sliding boat system
C30B 29/406
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
406Gallium nitride
C30B 9/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
9Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
04by cooling of the solution
08using other solvents
10Metal solvents
出願人
  • 日本碍子株式会社 NGK Insulators, Ltd. [JP/JP]; 〒4678530 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 Aichi 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP (AllExceptUS)
  • 国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 〒5650871 大阪府吹田市山田丘1番1号 Osaka 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP (AllExceptUS)
  • 豊田合成株式会社 TOYODA GOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 〒4520961 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑1番地 Aichi 1 Aza Nagahata, Ooaza Ochiai, Haruhi-cho, Nishikasugai-gun, Aichi 4520961, JP (AllExceptUS)
  • 岩井真 IWAI, Makoto [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 下平孝直 SHIMODAIRA, Takanao [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 東原周平 HIGASHIHARA, Shuhei [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 佐々木孝友 SASAKI, Takatomo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 森勇介 MORI, Yusuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 川村史朗 KAWAMURA, Fumio [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 山崎史郎 YAMASAKI, Shiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 平田宏治 HIRATA, Koji [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 岩井真 IWAI, Makoto; JP
  • 下平孝直 SHIMODAIRA, Takanao; JP
  • 東原周平 HIGASHIHARA, Shuhei; JP
  • 佐々木孝友 SASAKI, Takatomo; JP
  • 森勇介 MORI, Yusuke; JP
  • 川村史朗 KAWAMURA, Fumio; JP
  • 山崎史郎 YAMASAKI, Shiro; JP
  • 平田宏治 HIRATA, Koji; JP
代理人
  • 細田益稔 HOSODA, Masutoshi; 〒1080074 東京都港区高輪一丁目5番4号 常和高輪ビル7階 Tokyo Jowa Takanawa BLDG. 7F 5-4, Takanawa 1-chome Minato-ku, Tokyo 108-0074, JP
優先権情報
2006-05976106.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD
(FR) PROCEDE DE DEVELOPPEMENT DE MONOCRISTAL
(JA) 単結晶の育成方法
要約
(EN)
A single crystal is grown by melting a material in a container (1) under a nitrogen containing non oxidative atmosphere. The single crystal is grown by swinging the container (1), in a status where an agitating medium (12) composed of a solid material made of a mixed melt (10) and a nonreactive material is brought into contact with the mixed melt (10).
(FR)
Selon la présente invention, on développe un monocristal en faisant fondre un matériau dans un récipient (1) sous une atmosphère non oxydante contenant de l'azote. On développe le monocristal en balançant le récipient (1), dans un état où un milieu d'agitation (12) composé d'un matériau solide fait d'un mélange fondu (10) et d'un matériau non-réactif est mis en contact avec le mélange fondu (10).
(JA)
窒素含有非酸化性雰囲気下で容器1内で原料を溶融させることによって単結晶を育成するのに際して、この混合融液10と非反応性の材質からなる固形物からなる攪拌媒体12を混合融液10に接触させた状態で容器1を揺動させながら単結晶を育成する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報