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1. WO2007102534 - チップ型半導体発光素子

公開番号 WO/2007/102534
公開日 13.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054409
国際出願日 07.03.2007
IPC
H01L 33/06 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
04量子効果を奏する構造または超格子を有するもの,例.トンネル接合
06発光領域内にあるもの,例.量子閉じ込め構造,トンネル障壁
H01L 33/28 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
28II族およびVI族元素のみを有するもの
H01L 33/32 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
32窒素を含むもの
H01L 33/42 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36電極に特徴があるもの
40材料
42透明材料
H01L 33/60 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
58光の形状を形成する要素
60反射要素
H01L 33/62 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
62半導体素子本体へまたは半導体本体から電流を流す部品,例.リードフレーム,ワイヤボンドまたはハンダ
CPC
H01L 2224/45144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
45of an individual wire connector
45001Core members of the connector
45099Material
451with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
45138the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
45144Gold (Au) as principal constituent
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2224/48247
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48245the item being metallic
48247connecting the wire to a bond pad of the item
H01L 2224/48257
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48245the item being metallic
48257connecting the wire to a die pad of the item
H01L 25/0753
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
075the devices being of a type provided for in group H01L33/00
0753the devices being arranged next to each other
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
出願人
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 Kyoto 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP (AllExceptUS)
  • 井上 登美男 INOUE, Tomio [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 井上 登美男 INOUE, Tomio; JP
代理人
  • 河村 洌 KAWAMURA, Kiyoshi; 〒5320011 大阪府大阪市淀川区西中島4丁目5番1号 新栄ビル6E 河村特許事務所 Osaka KAWAMURA & CO. Shinei Bldg. 6E 5-1, Nishinakajima 4-chome Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka 5320011, JP
優先権情報
2006-06269108.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CHIP TYPE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE PUCE
(JA) チップ型半導体発光素子
要約
(EN)
Provided is a reflective chip type semiconductor light emitting element, which has improved light extracting efficiency and further improved luminance with the same input, emits high luminance light by uniformly emitting light from an area as large as possible and is suitable for illuminating apparatuses. A pair of terminal electrodes (11, 12) are arranged by being electrically separated, at the both end portions of one surface (front surface) of a substrate (1), and a plurality of LED chips (2) are separately arranged on the one surface (front surface) of the substrate (1). The LED chips (2) are electrically connected to the first terminal electrode (11) through a first bonding section (11a), and to the second terminal electrode (12) through a wire (7) and a second bonding section (12a), respectively. A reflecting wall (3) is arranged to surround the circumferences of the LED chips (2) on the one surface (front surface) of the substrate (1).
(FR)
La présente invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteurs de type à puce réflective, possédant une meilleure efficacité d'extraction de lumière et une meilleure luminosité avec la même entrée, qui émet une lumière à forte luminance en émettant uniformément de la lumière à partir d'une zone aussi large que possible et qui convient pour des appareils d'éclairage. Une paire d'électrodes de borne (11, 12) est disposée de manière électriquement séparée aux deux extrémités d'une surface (surface avant) d'un substrat (1) et une pluralité de puces LED (2) est séparément disposée sur la surface (surface avant) du substrat (1). Les puces LED (2) sont électriquement connectées à la première électrode de borne (11) par une première section de liage (11a) et à la seconde électrode de borne (12) par un fil (7) et une seconde section de liage (12a), respectivement. Une paroi réfléchissante (3) est disposée pour encercler les circonférences des puces LED (2) sur la surface (surface avant) du substrat (1).
(JA)
 光取出し効率を向上し、同じ入力に対してさらに輝度向上を図ると共に、できるだけ広い面積から均一に光を発光させて高輝度発光可能で、照明装置に適した反射型のチップ型半導体発光素子を提供する。  基板(1)の一面(表面)の両端部に電気的に分離して一対の端子電極(11)、(12)が設けられ、その基板1上の一面(表面)の上に複数のLEDチップ(2)がそれぞれ分離して設けられ、各々のLEDチップ(2)が第1ボンディング部(11a)を介して第1端子電極(11)と、ワイヤ(7)および第2ボンディング部(12a)を介して第2端子電極(12)と、それぞれ電気的に接続され、基板1の一面(表面)上で複数のLEDチップ(2)の各々の周囲を取り囲むように反射壁(3)が設けられている。
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