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1. WO2007102425 - ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

公開番号 WO/2007/102425
公開日 13.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054029
国際出願日 02.03.2007
IPC
G03F 7/039 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G03F 7/004 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 7/0397
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
0397the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
出願人
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 〒2110012 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 Kanagawa 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP (AllExceptUS)
  • 内海 義之 UTSUMI, Yoshiyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 内海 義之 UTSUMI, Yoshiyuki; JP
代理人
  • 棚井 澄雄 TANAI, Sumio; 〒1048453 東京都中央区八重洲2丁目3番1号 Tokyo 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku Tokyo 1048453, JP
優先権情報
2006-06000506.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POSITIVE RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
(FR) COMPOSITION DE RÉSERVE POSITIVE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
要約
(EN)
Disclosed is a positive resist composition containing a resin component (A) which contains a constitutional unit having an acid-cleavable dissolution inhibiting group and another constitutional unit (a0) represented by the general formula (a0-1) below, and an acid generator component (B) which generates an acid when exposed to light. The alkali solubility of the resin component (A) is increased by the action of an acid. [Chemical formula 1] (a0-1) [In the formula, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group, and n' represents an integer of 1 or 2.]
(FR)
La présente invention concerne une composition de réserve positive contenant un constituant de résine (A) qui comprend un motif constitutif ayant un groupe inhibiteur de dissolution clivable par un acide et un autre motif constitutif (a0) représenté par la formule générale (a0-1), et un constituant générateur d'acide (B) qui génère un acide lors de son exposition à la lumière. La solubilité alcaline du constituant de résine (A) est accrue par l'action d'un acide [formule chimique 1] (a0-1). [Dans la formule, R représente un atome d'hydrogène, un atome d'halogène, un groupe alkyle inférieur ou un groupe alkyle inférieur halogéné; et n' représente un nombre entier de 1 ou 2].
(JA)
酸解離性溶解抑制基を有する構成単位と、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)とを含み、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するポジ型レジスト組成物。 [化1] [式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し;n’は1または2の整数を示す。]
国際事務局に記録されている最新の書誌情報