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1. WO2007102281 - 炭化ケイ素半導体装置の製造方法および炭化ケイ素半導体装置
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公開番号
WO/2007/102281
公開日
13.09.2007
国際出願番号
PCT/JP2007/050454
国際出願日
16.01.2007
IPC
H01L 21/28
2006.1
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/316
2006.1
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H01L 21/336
2006.1
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/12
2006.1
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
H01L 29/78
2006.1
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H01L 21/28
2006.1
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/316
2006.1
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H01L 21/336
2006.1
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/12
2006.1
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
H01L 29/78
2006.1
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
分類の表示データを減らす
CPC
H01L 21/02126
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104
Forming layers
02107
Forming insulating materials on a substrate
02109
characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112
characterised by the material of the layer
02123
the material containing silicon
02126
the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
H01L 21/02236
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104
Forming layers
02107
Forming insulating materials on a substrate
02225
characterised by the process for the formation of the insulating layer
02227
formation by a process other than a deposition process
0223
formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
02233
of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
02236
group IV semiconductor
H01L 21/02255
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104
Forming layers
02107
Forming insulating materials on a substrate
02225
characterised by the process for the formation of the insulating layer
02227
formation by a process other than a deposition process
02255
formation by thermal treatment
H01L 21/02337
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104
Forming layers
02107
Forming insulating materials on a substrate
02296
characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318
post-treatment
02337
treatment by exposure to a gas or vapour
H01L 21/046
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
0445
the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
0455
Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion
046
using ion implantation
H01L 21/0485
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
0445
the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
048
Making electrodes
0485
Ohmic electrodes
分類をさらに表示
H01L 21/02126
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104
Forming layers
02107
Forming insulating materials on a substrate
02109
characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112
characterised by the material of the layer
02123
the material containing silicon
02126
the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
H01L 21/02236
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104
Forming layers
02107
Forming insulating materials on a substrate
02225
characterised by the process for the formation of the insulating layer
02227
formation by a process other than a deposition process
0223
formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
02233
of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
02236
group IV semiconductor
H01L 21/02255
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104
Forming layers
02107
Forming insulating materials on a substrate
02225
characterised by the process for the formation of the insulating layer
02227
formation by a process other than a deposition process
02255
formation by thermal treatment
H01L 21/02337
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104
Forming layers
02107
Forming insulating materials on a substrate
02296
characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318
post-treatment
02337
treatment by exposure to a gas or vapour
H01L 21/046
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
0445
the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
0455
Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion
046
using ion implantation
H01L 21/0485
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
0445
the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
048
Making electrodes
0485
Ohmic electrodes
H01L 21/31658
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or A
III
B
V
compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30
Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups
H01L21/20
-
H01L21/26
31
to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
314
Inorganic layers
316
composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
3165
formed by oxidation
31654
of semiconductor materials, e.g. the body itself
31658
by thermal oxidation, e.g. of SiGe
H01L 21/324
H
ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or A
III
B
V
compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30
Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups
H01L21/20
-
H01L21/26
324
Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Y10S 438/931
Y
SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10
TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
S
TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
438
Semiconductor device manufacturing: process
931
Silicon carbide semiconductor
分類の表示データを減らす
出願人
独立行政法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
[JP]/[JP]
(AllExceptUS)
原田 信介 HARADA, Shinsuke
[JP]/[JP] (UsOnly)
加藤 真 KATOU, Makoto
[JP]/[JP] (UsOnly)
福田 憲司 FUKUDA, Kenji
[JP]/[JP] (UsOnly)
八尾 勉 YATSUO, Tsutomu
[JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
原田 信介 HARADA, Shinsuke
加藤 真 KATOU, Makoto
福田 憲司 FUKUDA, Kenji
八尾 勉 YATSUO, Tsutomu
優先権情報
2006-060451
07.03.2006
JP
公開言語 (言語コード)
日本語 (ja)
出願言語 (言語コード)
日本語 (JA)
指定国 (国コード)
すべて表示
AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
すべて非表示
発明の名称
(EN)
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR)
PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM ET COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA)
炭化ケイ素半導体装置の製造方法および炭化ケイ素半導体装置
要約
(EN)
This invention provides a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device, which comprises an insulating film on a silicon carbide (000-1) plane and has been annealed for ohmic contact formation so as to reduce ohmic contact resistance, and a semiconductor device. The method comprises the steps of thermally oxidizing the surface of a (000-1) plane (8) of a silicon carbide semiconductor in a gas containing at least oxygen and moisture to form an insulating film (18) so as to be in contact with the surface of the (000-1) plane (8) of the silicon carbide semiconductor, removing a part of the insulating film (18) to form an opening, depositing a contact metal (20) on at least a part of the opening, and forming a layer (21) formed by a reaction between the contact metal (20) and the silicon carbide by heat treatment. The method is characterized in that the heat treatment is carried out in a mixed gas composed of an inert gas and hydrogen.
(FR)
Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un composant à semiconducteur en carbure de silicium qui comprend un film isolant sur un plan (000-1) de carbure de silicium et qui a été recuit en vue de la formation d'un contact ohmique de façon à réduire la résistance du contact ohmique, ainsi qu'un composant à semiconducteur. Le procédé comprend les étapes consistant à oxyder thermiquement la surface d'un plan (000-1) (8) d'un semiconducteur en carbure de silicium dans un gaz contenant au moins de l'oxygène et de l'humidité afin de former un film isolant (18) de façon à être en contact avec la surface du plan (000-1) (8) du semiconducteur en carbure de silicium, à éliminer une partie du film isolant (18) afin de former une ouverture, à déposer un métal de contact (20) sur au moins une partie de l'ouverture et à former une couche (21) formée par une réaction entre le métal de contact (20) et le carbure de silicium grâce à un traitement thermique. Le procédé est caractérisé en ce que le traitement thermique est exécuté dans un gaz mélangé composé d'un gaz inerte et d'hydrogène.
(JA)
オーミックコンタクト抵抗が低減できるようなオーミックコンタクト形成のためのアニール処理を施した、炭化ケイ素(000-1)面上に絶縁膜を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 炭化ケイ素半導体の(000-1)面8上に、少なくとも酸素と水分を含むガス中で熱酸化し前記炭化ケイ素半導体の(000-1)面8上に接するように絶縁膜18を形成する工程と、絶縁膜18の一部を除去し開口部を形成する工程と、開口部の少なくとも一部にコンタクトメタル20を堆積する工程と、熱処理によりコンタクトメタル20と炭化ケイ素の反応層21を形成する工程とを有する炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記熱処理を不活性ガスと水素の混合ガス中にて実施することを特徴とする炭化ケイ素半導体装置の製造方法である。
関連特許文献
JP2007242744
US20090072244
国際事務局に記録されている最新の書誌情報