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1. WO2007102214 - 半導体装置及びその製造方法

公開番号 WO/2007/102214
公開日 13.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2006/304503
国際出願日 08.03.2006
IPC
H01L 21/8246 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8246リードオンリーメモリ構造(ROM)
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 23/52 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
CPC
H01L 21/76826
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76822Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
76826by contacting the layer with gases, liquids or plasmas
H01L 21/76828
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76822Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
76828thermal treatment
H01L 21/76829
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76829characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
H01L 21/76832
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76829characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
76832Multiple layers
H01L 21/76834
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76829characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
76834formation of thin insulating films on the sidewalls or on top of conductors
H01L 21/8221
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8221Three dimensional integrated circuits stacked in different levels
出願人
  • 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 〒2118588 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 Kanagawa 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP (AllExceptUS)
  • 山形 ▲高▼広 YAMAGATA, Takahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 山形 ▲高▼広 YAMAGATA, Takahiro; JP
代理人
  • 北野 好人 KITANO, Yoshihito; 〒1600015 東京都新宿区大京町9番地 エクシード四谷2階 Tokyo Exceed Yotsuya 2nd Floor 9, Daikyo-cho Shinjuku-ku, Tokyo 1600015, JP
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) dispositif semi-conducteur ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約
(EN)
A semiconductor device comprising a capacitor (36) formed on a semiconductor substrate (10) and having a lower electrode (30), a dielectric film (32) and an upper electrode (34), a first insulating film (68) formed above the capacitor (36), first wiring (88a) formed on the first insulating film (68), a second insulating film (90) formed on the first insulating film (68) and the first wiring (88a), an electrode pad (102) formed on the second insulating film (90), and a single conductor (100) buried in the second insulating film (90) directly under the electrode pad (102) at least up to a part of the first insulating film (68) while penetrating the second insulating film (90). Since a rigid conductor (100) is formed directly under the electrode pad (102), a crack reaching the first insulating film (68) and the like, does not occur in the conductor (100) and the dielectric film (32) of the capacitor (36) can be surely protected against deterioration due to hydrogen or moisture.
(FR)
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur contenant un condensateur (36) formé sur un substrat semi-conducteur (10) et possédant une électrode inférieure (30), un film diélectrique (32) et une électrode supérieure (34), un premier film isolant (68) formé au-dessus du condensateur (36), un premier câblage (88a) formé sur le premier film isolant (68), un second film isolant (90) formé sur le premier film isolant (68) et le premier câblage (88a), un patin de connexion d'électrode (102) formé sur le second film isolant (90), et un conducteur simple (100) enfoui dans le second film isolant (90) juste sous le patin de connexion d'électrode (102) au moins jusqu'à une partie du premier film isolant (68) tout en pénétrant dans le second film isolant (90). Dans la mesure où un conducteur rigide (100) est formé juste sous le patin de connexion d'électrode (102), une fissure atteignant le premier film isolant (68), ou similaire, ne se produit pas dans le conducteur (100) et le film diélectrique (32) du condensateur (36) peut être protégé en toute fiabilité contre les détériorations dues à l'hydrogène ou à l'humidité.
(JA)
 半導体基板10上に形成され、下部電極30と誘電体膜32と上部電極34とを有するキャパシタ36と、キャパシタ36の上方に形成された第1の絶縁膜68と、第1の絶縁膜68上に形成された第1の配線88aと、第1の絶縁膜68上及び第1の配線88a上に形成された第2の絶縁膜90と、第2の絶縁膜90上に形成された電極パッド102と、電極パッド102の直下における第2の絶縁膜90に埋め込まれた単一の導電体100であって、第2の絶縁膜90を貫いて、少なくとも第1の絶縁層68の一部にまで埋め込まれた導電体100とを有している。電極パッド102の直下に強固な導電体100が形成されているため、第1の絶縁膜68等に達するような亀裂が導電体100に生じることがなく、キャパシタ36の誘電体膜32が水素や水分により劣化するのを確実に防止することができる。
他の公開
US12205495
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