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1. WO2007100158 - CZ法によるSi単結晶インゴットの製造方法

公開番号 WO/2007/100158
公開日 07.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054619
国際出願日 02.03.2007
IPC
C30B 29/06 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02元素
06シリコン
CPC
C30B 15/203
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
203the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
出願人
  • 国立大学法人新潟大学 NIIGATA UNIVERSITY [JP/JP]; 〒9502181 新潟県新潟市五十嵐2の町8050番地 Niigata 8050, Ikarashi Ninocho, Niigata-shi, Niigata 9502181, JP (AllExceptUS)
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 〒1058634 東京都港区芝浦一丁目2番1号 Tokyo 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP (AllExceptUS)
  • 後藤 輝孝 GOTO, Terutaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 根本 祐一 NEMOTO, Yuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 金田 寛 KANETA, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 宝耒 正隆 HOURAI, Masataka [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 後藤 輝孝 GOTO, Terutaka; JP
  • 根本 祐一 NEMOTO, Yuichi; JP
  • 金田 寛 KANETA, Hiroshi; JP
  • 宝耒 正隆 HOURAI, Masataka; JP
代理人
  • 杉村 憲司 SUGIMURA, Kenji; 〒1000013 東京都千代田区霞が関3丁目2番4号 霞山ビルディング 7F Tokyo 36F, Kasumigaseki Common Gate West 3-2-1, Kasumigaseki Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
優先権情報
2006-05846903.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING Si SINGLE CRYSTAL INGOT BY CZ METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN LINGOT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN PAR TIRAGE DE CRISTAL
(JA) CZ法によるSi単結晶インゴットの製造方法
要約
(EN)
A Si single crystal having no defective region is stably grown by clearly detecting the type of a defective region or a defect-free region of a Si single crystal grown with a certain pull speed profile and by feeding back such data for the subsequent pulling. At the time of manufacturing the Si single crystal ingot by CZ method, concentration distribution of atomic vacancies, which are on a cross section of the Si single crystal ingot previously grown, is detected by direct observation of atomic vacancies, the obtained concentration distribution is fed back for the subsequent pulling process, and the speed profile of the subsequent pulling is adjusted.
(FR)
Selon la présente invention, il est possible de faire croître de façon stable un monocristal de Si exempt de région défectueuse en détectant clairement le type d'une région défectueuse ou d'une région exempte de défauts d'un monocristal de Si produit sous un certain profil de vitesse de traction et en renvoyant ces données pour adapter la traction subséquente. Pendant la fabrication du lingot de Si monocristallin par la méthode du tirage vertical, on détecte la distribution de la concentration en lacunes atomiques sur une section du lingot de Si monocristallin précédemment produit, par observation directe des lacunes atomiques, et on renvoie les données de distribution obtenues au procédé de traction subséquent, de manière à adapter la traction subséquente.
(JA)
 ある引き上げ速度プロファイルで育成されたSi単結晶の欠陥領域あるいは無欠陥領域のタイプを明確に検出し、このデータを次の引き上げにフィードバックすることよって、欠陥領域のないSi単結晶を安定して育成する。 CZ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報