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1. (WO2007100158) CZ法によるSi単結晶インゴットの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/100158    国際出願番号:    PCT/JP2007/054619
国際公開日: 07.09.2007 国際出願日: 02.03.2007
IPC:
C30B 29/06 (2006.01)
出願人: NIIGATA UNIVERSITY [JP/JP]; 8050, Ikarashi Ninocho, Niigata-shi, Niigata 9502181 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
GOTO, Terutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NEMOTO, Yuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANETA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOURAI, Masataka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: GOTO, Terutaka; (JP).
NEMOTO, Yuichi; (JP).
KANETA, Hiroshi; (JP).
HOURAI, Masataka; (JP)
代理人: SUGIMURA, Kenji; 36F, Kasumigaseki Common Gate West 3-2-1, Kasumigaseki Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
優先権情報:
2006-058469 03.03.2006 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING Si SINGLE CRYSTAL INGOT BY CZ METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN LINGOT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN PAR TIRAGE DE CRISTAL
(JA) CZ法によるSi単結晶インゴットの製造方法
要約: front page image
(EN)A Si single crystal having no defective region is stably grown by clearly detecting the type of a defective region or a defect-free region of a Si single crystal grown with a certain pull speed profile and by feeding back such data for the subsequent pulling. At the time of manufacturing the Si single crystal ingot by CZ method, concentration distribution of atomic vacancies, which are on a cross section of the Si single crystal ingot previously grown, is detected by direct observation of atomic vacancies, the obtained concentration distribution is fed back for the subsequent pulling process, and the speed profile of the subsequent pulling is adjusted.
(FR)Selon la présente invention, il est possible de faire croître de façon stable un monocristal de Si exempt de région défectueuse en détectant clairement le type d'une région défectueuse ou d'une région exempte de défauts d'un monocristal de Si produit sous un certain profil de vitesse de traction et en renvoyant ces données pour adapter la traction subséquente. Pendant la fabrication du lingot de Si monocristallin par la méthode du tirage vertical, on détecte la distribution de la concentration en lacunes atomiques sur une section du lingot de Si monocristallin précédemment produit, par observation directe des lacunes atomiques, et on renvoie les données de distribution obtenues au procédé de traction subséquent, de manière à adapter la traction subséquente.
(JA) ある引き上げ速度プロファイルで育成されたSi単結晶の欠陥領域あるいは無欠陥領域のタイプを明確に検出し、このデータを次の引き上げにフィードバックすることよって、欠陥領域のないSi単結晶を安定して育成する。 CZ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)