処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

1. WO2007100146 - 液相成長法によるZnO単結晶の製造方法

公開番号 WO/2007/100146
公開日 07.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054380
国際出願日 28.02.2007
IPC
C30B 29/16 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
16酸化物
C30B 19/02 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19液相エピタキシャル成長
02溶融溶媒を用いるもの,例.フラックス
H01L 21/368 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
368液相成長を用いるもの
CPC
C30B 15/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
C30B 19/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
02using molten solvents, e.g. flux
C30B 29/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
C30B 9/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
9Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
04by cooling of the solution
08using other solvents
12Salt solvents, e.g. flux growth
H01L 21/02554
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02551Group 12/16 materials
02554Oxides
H01L 21/0257
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
出願人
  • 三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 〒1008324 東京都千代田区丸の内2丁目5番2号 三菱ビル Tokyo MITSUBISHI Building, 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP (AllExceptUS)
  • 関和秀幸 SEKIWA, Hideyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 小林純 KOBAYASHI, Jun [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 宮本美幸 MIYAMOTO, Miyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 関和秀幸 SEKIWA, Hideyuki; JP
  • 小林純 KOBAYASHI, Jun; JP
  • 宮本美幸 MIYAMOTO, Miyuki; JP
代理人
  • 小林浩 KOBAYASHI, Hiroshi; 〒1040028 東京都中央区八重洲二丁目8番7号福岡ビル9階 阿部・井窪・片山法律事務所 Tokyo c/o ABE, IKUBO & KATAYAMA, Fukuoka Bldg. 9th Fl., 8-7, Yaesu 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040028, JP
優先権情報
2006-05559001.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROCESS FOR PRODUCING ZnO SINGLE CRYSTAL ACCORDING TO METHOD OF LIQUID PHASE GROWTH
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE ZnO SELON LE PROCEDE DE CROISSANCE EN PHASE LIQUIDE
(JA) 液相成長法によるZnO単結晶の製造方法
要約
(EN)
A process for producing a ZnO single crystal according to a method of liquid phase growth, characterized in that ZnO as a solute and either PbF2 and PbO or PbO and Bi2O3 as a solvent are mixed together and melted and thereafter a seed crystal or substrate is brought into direct contact with the melt to thereby induce growth of a ZnO single crystal on the seed crystal or substrate. Thus, there is provided a process in which a ZnO single crystal of high quality reduced in dislocation, defect, staining, etc. is produced according to a method of liquid phase growth.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d'un monocristal de ZnO selon un procédé de croissance en phase liquide, ledit procédé étant caractérisé en ce que du ZnO en tant que soluté et du PbF2 et PbO, ou bien du PbO et Bi2O3 en tant que solvant sont mélangés et fondus ensemble, après quoi un germe cristallin ou un substrat est amené en contact direct avec le bain de manière à induire la croissance d'un monocristal de ZnO sur le germe cristallin ou le substrat. Ce procédé permet d'obtenir par croissance en phase liquide un monocristal de ZnO de qualité élevée présentant moins de dislocations, de défauts, de taches, etc.
(JA)
not available
国際事務局に記録されている最新の書誌情報