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1. (WO2007100146) 液相成長法によるZnO単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/100146    国際出願番号:    PCT/JP2007/054380
国際公開日: 07.09.2007 国際出願日: 28.02.2007
IPC:
C30B 29/16 (2006.01), C30B 19/02 (2006.01), H01L 21/368 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; MITSUBISHI Building, 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SEKIWA, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOBAYASHI, Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAMOTO, Miyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SEKIWA, Hideyuki; (JP).
KOBAYASHI, Jun; (JP).
MIYAMOTO, Miyuki; (JP)
代理人: KOBAYASHI, Hiroshi; c/o ABE, IKUBO & KATAYAMA, Fukuoka Bldg. 9th Fl., 8-7, Yaesu 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040028 (JP)
優先権情報:
2006-055590 01.03.2006 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING ZnO SINGLE CRYSTAL ACCORDING TO METHOD OF LIQUID PHASE GROWTH
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE ZnO SELON LE PROCEDE DE CROISSANCE EN PHASE LIQUIDE
(JA) 液相成長法によるZnO単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)A process for producing a ZnO single crystal according to a method of liquid phase growth, characterized in that ZnO as a solute and either PbF2 and PbO or PbO and Bi2O3 as a solvent are mixed together and melted and thereafter a seed crystal or substrate is brought into direct contact with the melt to thereby induce growth of a ZnO single crystal on the seed crystal or substrate. Thus, there is provided a process in which a ZnO single crystal of high quality reduced in dislocation, defect, staining, etc. is produced according to a method of liquid phase growth.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un monocristal de ZnO selon un procédé de croissance en phase liquide, ledit procédé étant caractérisé en ce que du ZnO en tant que soluté et du PbF2 et PbO, ou bien du PbO et Bi2O3 en tant que solvant sont mélangés et fondus ensemble, après quoi un germe cristallin ou un substrat est amené en contact direct avec le bain de manière à induire la croissance d'un monocristal de ZnO sur le germe cristallin ou le substrat. Ce procédé permet d'obtenir par croissance en phase liquide un monocristal de ZnO de qualité élevée présentant moins de dislocations, de défauts, de taches, etc.
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)