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1. WO2007100081 - 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法

公開番号 WO/2007/100081
公開日 07.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/054012
国際出願日 02.03.2007
IPC
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
CPC
G03F 7/70066
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70058Mask illumination systems
70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. REMA
G03F 7/701
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70058Mask illumination systems
70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane, angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole, quadrupole; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
701Off-axis setting using an aperture
G03F 7/70208
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70058Mask illumination systems
70208Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution device, multiplexer, demultiplexer for single or multiple projection systems
G03F 7/70425
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput, printing product fields larger than the image field, compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching, double patterning
出願人
  • 株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 〒1008331 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 Tokyo 2-3 Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008331, JP (AllExceptUS)
  • 柴崎 祐一 SHIBAZAKI, Yuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 小松田 秀基 KOMATSUDA, Hideki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 柴崎 祐一 SHIBAZAKI, Yuichi; JP
  • 小松田 秀基 KOMATSUDA, Hideki; JP
代理人
  • 大森 聡 OMORI, Satoshi; 〒2140014 神奈川県川崎市多摩区登戸2075番2-501 大森特許事務所 Kanagawa Omori Patent Office 2075-2-501, Noborito, Tama-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 2140014, JP
優先権情報
2006-05873903.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCEDE D'EXPOSITION, ET PROCEDE DE FABRICATION DE L'APPAREIL
(JA) 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
要約
(EN)
Provided is an exposure method wherein patterns for double exposure are illuminated, respectively, on the entire surface under optimum illuminating conditions, and exposure is performed at a high throughput. To transfer the pattern of a reticle (R) on a wafer (W) by a scanning exposure system, first and second pattern regions are formed adjacent to a scanning direction on the reticle (R). When the first and the second pattern regions are passing through within a visual field of a projection optical system (PL) at the same time, a wafer (W) is exposed by illuminating the first pattern region by using a first illuminating slit (10AP) whose width in the scanning direction gradually narrows, under first illuminating conditions, and by illuminating the second pattern region by using a second illuminating slit (10BP) whose width in the scanning direction gradually widens, under first illuminating conditions.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'exposition consistant à éclairer des motifs de double exposition, respectivement, sur toute une surface dans des conditions d'éclairage optimales, et à effectuer l'exposition à grande vitesse. Pour transférer le motif d'un réticule (R) sur une plaquette (W) par un système d'exposition à balayage, une première et une seconde zone de motif sont formées de manière adjacente dans un sens de balayage sur le réticule (R). Lorsque la première et la seconde zone de motif sont simultanément traversées dans un champ visuel d'un système optique de projection (PL), une plaquette (W) est exposée par éclairage de la première zone de motif à l'aide d'une première fente d'éclairage (10AP) dont la largeur diminue graduellement dans le sens de balayage, dans des premières conditions d'éclairage, et par éclairage de la seconde zone de motif à l'aide d'une seconde fente d'éclairage (10BP) dont la largeur augmente graduellement dans le sens de balayage, dans des premières conditions d'éclairage.
(JA)
 二重露光を行う各パターン毎にそれぞれ全面で最適な照明条件で照明し、かつ高スループットで露光を行う露光方法を提供する。走査露光方式でレチクル(R)のパターンをウエハ(W)上に転写する際に、レチクル(R)上に走査方向に隣接して第1、第2のパターン領域を形成しておき、その第1、第2のパターン領域が同時に投影光学系(PL)の視野内を通過しているときに、次第にその走査方向の幅が狭くなる第1照明スリット(10AP)を用いて第1の照明条件でその第1のパターン領域を照明し、次第にその走査方向の幅が広くなる第2照明スリット(10BP)を用いて第2の照明条件でその第2のパターン領域を照明してウエハ(W)を露光する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報