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1. WO2007100038 - 発光素子及びこの発光素子の製造方法

公開番号 WO/2007/100038
公開日 07.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/053910
国際出願日 01.03.2007
IPC
H01L 33/06 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
04量子効果を奏する構造または超格子を有するもの,例.トンネル接合
06発光領域内にあるもの,例.量子閉じ込め構造,トンネル障壁
H01L 33/08 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
08複数の発光領域を有するもの,例.横方向に不連続な発光層,フォトルミネセント領域が半導体素子本体に集積化されているもの
H01L 33/12 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
12応力緩和構造を有するもの,例.バッファ層
H01L 33/16 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
16特定の結晶構造や結晶方位を有するもの,例.多結晶,アモルファス,ポーラス
H01L 33/32 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
32窒素を含むもの
CPC
H01L 33/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
16with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
H01S 5/0202
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
0201Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
0202Cleaving
H01S 5/32341
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
323in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, ; InP-based laser
32308emitting light at a wavelength less than 900 nm
32341blue laser based on GaN or GaP
出願人
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 Kyoto 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP (AllExceptUS)
  • 尺田 幸男 SHAKUDA, Yukio [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 尺田 幸男 SHAKUDA, Yukio; JP
代理人
  • 三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu; 〒1050001 東京都港区虎ノ門一丁目2番8号 虎ノ門琴平タワー Tokyo Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050001, JP
優先権情報
2006-05545301.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 発光素子及びこの発光素子の製造方法
要約
(EN)
A light emitting element is provided with a growing substrate, which has, as a main plane, a plane wherein cleaving directions orthogonally intersect each other; a first nitride semiconductor layer formed on the main plane of the growing substrate; an active layer formed on the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed on the active layer. An angle formed on the main plane by the side of the growing substrate and one of the cleaving directions is within a range of approximately 30-60°.
(FR)
La présente invention concerne un élément électroluminescent comprenant un substrat de croissance qui possède, en tant que plan principal, un plan dans lequel des directions de clivage se croisent orthogonalement, une première couche semi-conductrice à nitrure formée sur le plan principal du substrat, une couche active formée sur la première couche semi-conductrice à nitrure et une seconde couche semi-conductrice à nitrure formée sur la couche active. Un angle formé sur le plan principal par le côté du substrat de croissance et une des directions de clivage est compris dans une plage d'environ 30-60 °.
(JA)
 互いに直交する劈開方向を有する面を主面とする成長用基板と、前記成長用基板の前記主面上に形成された第1窒化物半導体層と、前記第1窒化物半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2窒化物半導体層とを備えた発光素子において、前記主面における前記成長用基板の側辺と前記劈開方向の一方とが形成する角度は、約30~60°の範囲内である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報