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1. WO2007099976 - 基板処理装置、基板搬送装置、基板把持装置、および薬液処理装置

公開番号 WO/2007/099976
公開日 07.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/053699
国際出願日 21.02.2007
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B65G 49/07 2006.01
B処理操作;運輸
65運搬;包装;貯蔵;薄板状または線条材料の取扱い
G運搬または貯蔵装置,例.荷積みまたは荷あげ用コンベヤ;作業場コンベヤシステムまたは気体式チューブコンベヤ
49他の分類に属せず,特殊な目的に適用されることを特徴とする移送装置
05もろい,または損傷性材料または物品用のもの
07半導体ウェハーのためのもの
H01L 21/677 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
CPC
B24B 37/345
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
34Accessories
345Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
H01L 21/6719
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
6719characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
H01L 21/67219
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
67207comprising a chamber adapted to a particular process
67219comprising at least one polishing chamber
H01L 21/67742
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
677for conveying, e.g. between different workstations
67739into and out of processing chamber
67742Mechanical parts of transfer devices
H01L 21/67745
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
677for conveying, e.g. between different workstations
67739into and out of processing chamber
67745characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
H01L 21/67748
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
677for conveying, e.g. between different workstations
67739into and out of processing chamber
67748horizontal transfer of a single workpiece
出願人
  • 株式会社 荏原製作所 EBARA CORPORATION [JP/JP]; 〒1448510 東京都大田区羽田旭町11番1号 Tokyo 11-1, Haneda Asahi-cho Ohta-ku, Tokyo 1448510, JP (AllExceptUS)
  • 高橋信行 TAKAHASHI, Nobuyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 西田弘明 NISHIDA, Hiroaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 鳥居弘臣 TORII, Hiroomi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 磯部壮一 ISOBE, Soichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 曽根忠一 SONE, Tadakazu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 小菅隆一 KOSUGE, Ryuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 金子浩之 KANEKO, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 外崎宏 SOTOZAKI, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 三ツ倉崇夫 MITSUKURA, Takao [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 小川貴弘 OGAWA, Takahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 杉田謙一 SUGITA, Kenichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 高橋信行 TAKAHASHI, Nobuyuki; JP
  • 西田弘明 NISHIDA, Hiroaki; JP
  • 鳥居弘臣 TORII, Hiroomi; JP
  • 磯部壮一 ISOBE, Soichi; JP
  • 曽根忠一 SONE, Tadakazu; JP
  • 小菅隆一 KOSUGE, Ryuichi; JP
  • 金子浩之 KANEKO, Hiroyuki; JP
  • 外崎宏 SOTOZAKI, Hiroshi; JP
  • 三ツ倉崇夫 MITSUKURA, Takao; JP
  • 小川貴弘 OGAWA, Takahiro; JP
  • 杉田謙一 SUGITA, Kenichi; JP
代理人
  • 渡邉勇 WATANABE, Isamu; 〒1600023 東京都新宿区西新宿7丁目5番8号GOWA西新宿4階 Tokyo GOWA Nishi-Shinjuku 4F 5-8, Nishi-Shinjuku 7-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600023, JP
優先権情報
2006-04600222.02.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE TREATING DEVICE, SUBSTRATE CONVEY DEVICE, SUBSTRATE GRASPING DEVICE, AND CHEMICAL SOLUTION TREATING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, DISPOSITIF DE TRANSPORT DE SUBSTRAT, DISPOSITIF DE PREHENSION DE SUBSTRAT, ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SOLUTION CHIMIQUE
(JA) 基板処理装置、基板搬送装置、基板把持装置、および薬液処理装置
要約
(EN)
Provided is a substrate treating device capable of improving a tact time of a substrate treatment process. A polishing device as the substrate treating device includes a plurality of polishing units (3a, 3b) for polishing a semiconductor wafer (W) and a swing transporter (7) for conveying the wafer (W). The swing transporter (7) includes a wafer grasping mechanism (112) for grasping the wafer (W), a vertical motion mechanism (104, 106) for vertically mobbing the wafer grasping mechanism (112) along a frame (102) of a case of the polishing unit (3a), and a rotary mechanism (108, 110) for rotating the wafer grasping mechanism (112) around an axis adjacent to the frame (102).
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de traitement de substrat capable d'améliorer un temps de réalisation d'un procédé de traitement de substrat. Un dispositif de polissage en tant que dispositif de traitement de substrat comprend une pluralité d'unités de polissage (3a, 3b) pour polir une tranche à semi-conducteur (W) et un transporteur pivotant (7) pour transporter la tranche (W). Le transporteur pivotant (7) comprend un mécanisme de préhension de tranche (112) pour prendre la tranche (W), un mécanisme de mouvement vertical (104, 106) pour déplacer verticalement le mécanisme de préhension de tranche (112) le long d'un cadre (102) d'un boîtier de l'unité de polissage (3a), et un mécanisme rotatif (108, 110) pour faire tourner le mécanisme de préhension de tranche (112) autour d'un axe adjacent au cadre (102).
(JA)
本発明は、基板処理プロセスのタクトタイムを向上することができる基板処理装置に関するものである。基板処理装置としての研磨装置は、半導体ウェハ(W)に対して研磨を行う複数の研磨部(3a,3b)と、ウェハ(W)を搬送するスイングトランスポータ(7)とを備えている。スイングトランスポータ(7)は、ウェハ(W)を把持するウェハ把持機構(112)と、研磨部(3a)の筐体のフレーム(102)に沿ってウェハ把持機構(112)を上下動させる上下動機構(104,106)と、フレーム(102)に隣接する軸を中心としてウェハ把持機構(112)を旋回させる旋回機構(108,110)とを備えている。
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