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1. WO2007099794 - 半導体ナノ粒子の製造方法及びその製造装置

公開番号 WO/2007/099794
公開日 07.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/052915
国際出願日 19.02.2007
IPC
C01B 25/08 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
25りん;その化合物
08その他のりん化物
C01B 19/04 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
19セレン;テルル;それらの化合物
04二元化合物
C09K 11/08 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
11発光性物質,例.電気発光性物質;化学発光性物質
08無機発光性物質を含有するもの
C09K 11/70 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
11発光性物質,例.電気発光性物質;化学発光性物質
08無機発光性物質を含有するもの
70りんを含むもの
C09K 11/88 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
11発光性物質,例.電気発光性物質;化学発光性物質
08無機発光性物質を含有するもの
88セレン,テルルまたは不持定のカルコゲン元素を含むもの
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C01B 19/007
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
19Selenium; Tellurium; Compounds thereof
007Tellurides or selenides of metals
C01B 25/082
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
25Phosphorus; Compounds thereof
08Other phosphides
082of boron, aluminium, gallium or indium
C01P 2004/64
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
60Particles characterised by their size
64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
C01P 2004/84
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
80Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
82two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases
84one phase coated with the other
C09K 11/025
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
11Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
025Use of non-luminescent materials other than binders
出願人
  • 出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 〒1008321 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 Tokyo 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP (AllExceptUS)
  • 蜂屋 聡 HACHIYA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 蜂屋 聡 HACHIYA, Satoshi; JP
代理人
  • 渡辺 喜平 WATANABE, Kihei; 〒1010041 東京都千代田区神田須田町一丁目26番 芝信神田ビル3階 Tokyo Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor 26, Kanda Suda-cho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010041, JP
優先権情報
2006-04972427.02.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE FABRICATION DE NANOPARTICULES DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ナノ粒子の製造方法及びその製造装置
要約
(EN)
In a semiconductor nanoparticle manufacturing method, reaction for forming nuclei of semiconductor nanoparticles and reaction for growing the nuclei are performed stepwise. A semiconductor nanoparticle manufacturing apparatus (1) is provided with a continuous reaction apparatus (40) for performing reaction for forming the nuclei of the semiconductor nanoparticles, and a batch operation type reacting apparatus (70) for performing reaction for growing the semiconductor nanoparticles.
(FR)
La présente invention concerne la réalisation progressive, dans un procédé de fabrication de nanoparticules de semi-conducteur, d'une réaction permettant de former les noyaux de nanoparticules de semi-conducteur et d'une réaction de croissance de ces noyaux. Un appareil de fabrication des nanoparticules de semi-conducteur (1) est accompagné d'un appareil de réaction continue (40) pour effectuer une réaction afin de former les noyaux des nanoparticules de semi-conducteur et un appareil de réaction à exploitation par lots (70) pour effectuer la réaction afin de faire croître les nanoparticules de semi-conducteur.
(JA)
 半導体ナノ粒子の核を形成する反応と、核を成長させる反応を段階的に行う半導体ナノ粒子の製造方法。半導体ナノ粒子の核形成反応を行う連続式反応装置(40)と、半導体ナノ粒子の成長反応を行う回分式反応装置(70)、を備えた半導体ナノ粒子製造装置(1)。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報