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1. WO2007099786 - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2007/099786
公開日 07.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/052824
国際出願日 16.02.2007
IPC
H01L 21/22 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H01L 21/324 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
324半導体本体の性質を改変するための熱処理,例.アニーリング,シンタリング
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
CPC
H01L 21/324
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
H01L 21/67309
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
673using specially adapted carriers ; or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
67303Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
67309characterized by the substrate support
出願人
  • 株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 〒1018980 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 Tokyo 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP (AllExceptUS)
  • 石黒 謙一 ISHIGURO, Kenichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 石黒 謙一 ISHIGURO, Kenichi; JP
代理人
  • 特許業務法人 アイ・ピー・エス PATENT RELATED CORPORATION IPS; 〒2210052 神奈川県横浜市神奈川区栄町5番地1 横浜クリエーションスクエア15階 Kanagawa 15F., Yokohama Creation Square 5-1, Sakaecho, Kanagawa-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2210052, JP
優先権情報
2006-04685523.02.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
要約
(EN)
Provided is a substrate processing apparatus by which slip on a substrate is suppressed by preventing deformation of a supporting section. A substrate processing apparatus (10) is provided with a process chamber (45) for processing a substrate (54); a heater (46) for heating inside the process chamber (45); a support (30) for supporting the substrate (54) inside the process chamber (45); and a substrate transferring plate (32) for transferring the substrate (54) to the support (30). The support (30) is provided with a ring member (80) for supporting the outer circumference of the substrate (54), and a support main body (34) for supporting the ring member (80). Of the ring member (80), a portion, which is at least from the far side in the inserting direction of a substrate transfer plate (32) to a portion adjacent to such portion and supported by the support main body (34) and positions outside the substrate (54) when the substrate (54) is placed on the ring member (80), is formed thicker than other portions.
(FR)
La présente invention concerne un appareil de traitement de substrat grâce auquel le glissement sur un substrat est supprimé en empêchant la déformation d'une section de support. Un appareil de traitement de substrat (10) est fourni avec une chambre de traitement (45) de substrat (54), un radiateur (46) pour chauffer l'intérieur de la chambre de traitement (45), un support (30) de substrat (54) à l'intérieur de la chambre de traitement (45) et une plaque pour transférer le substrat (54) sur le support (30). Le support (30) est accompagné d'un anneau (80) de maintien de la circonférence extérieure du substrat (54) et d'un corps principal de support (34) de l'anneau (80). Une portion de l'anneau (80), qui est au moins du côté éloigné dans le sens d'insertion d'une plaque de transfert de substrat (32) vers une portion adjacente à une telle portion et supportée par le corps principal de support (34) et se situe hors du substrat (54) lorsque le substrat (54) est placé sur l'anneau (80), est plus épaisse que les autres portions.
(JA)
 支持部の変形を防止し、基板に発生するスリップを抑制する基板処理装置を提供する。基板処理装置10は、基板54を処理する処理室45と、処理室45内を加熱するヒータ46と、処理室45内で基板54を支持する支持具30と、支持具30に対して基板54を搬送する基板搬送プレート32とを有し、支持具30は基板54の外周部を支持するリング部材80と、このリング部材80を支持する支持具本体34とを備えており、リング部材80のうち、少なくとも基板搬送プレート32挿入方向奥側の部分から、その部分に隣接し支持具本体34により支持される部分にわたる部分であって、基板54をリング部材80に載置した際に基板54よりも外側に位置する部分を他の部分よりも厚く形成した。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報