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1. (WO2007099786) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/099786    国際出願番号:    PCT/JP2007/052824
国際公開日: 07.09.2007 国際出願日: 16.02.2007
IPC:
H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ISHIGURO, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ISHIGURO, Kenichi; (JP)
代理人: PATENT RELATED CORPORATION IPS; 15F., Yokohama Creation Square 5-1, Sakaecho, Kanagawa-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2210052 (JP)
優先権情報:
2006-046855 23.02.2006 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a substrate processing apparatus by which slip on a substrate is suppressed by preventing deformation of a supporting section. A substrate processing apparatus (10) is provided with a process chamber (45) for processing a substrate (54); a heater (46) for heating inside the process chamber (45); a support (30) for supporting the substrate (54) inside the process chamber (45); and a substrate transferring plate (32) for transferring the substrate (54) to the support (30). The support (30) is provided with a ring member (80) for supporting the outer circumference of the substrate (54), and a support main body (34) for supporting the ring member (80). Of the ring member (80), a portion, which is at least from the far side in the inserting direction of a substrate transfer plate (32) to a portion adjacent to such portion and supported by the support main body (34) and positions outside the substrate (54) when the substrate (54) is placed on the ring member (80), is formed thicker than other portions.
(FR)La présente invention concerne un appareil de traitement de substrat grâce auquel le glissement sur un substrat est supprimé en empêchant la déformation d'une section de support. Un appareil de traitement de substrat (10) est fourni avec une chambre de traitement (45) de substrat (54), un radiateur (46) pour chauffer l'intérieur de la chambre de traitement (45), un support (30) de substrat (54) à l'intérieur de la chambre de traitement (45) et une plaque pour transférer le substrat (54) sur le support (30). Le support (30) est accompagné d'un anneau (80) de maintien de la circonférence extérieure du substrat (54) et d'un corps principal de support (34) de l'anneau (80). Une portion de l'anneau (80), qui est au moins du côté éloigné dans le sens d'insertion d'une plaque de transfert de substrat (32) vers une portion adjacente à une telle portion et supportée par le corps principal de support (34) et se situe hors du substrat (54) lorsque le substrat (54) est placé sur l'anneau (80), est plus épaisse que les autres portions.
(JA) 支持部の変形を防止し、基板に発生するスリップを抑制する基板処理装置を提供する。基板処理装置10は、基板54を処理する処理室45と、処理室45内を加熱するヒータ46と、処理室45内で基板54を支持する支持具30と、支持具30に対して基板54を搬送する基板搬送プレート32とを有し、支持具30は基板54の外周部を支持するリング部材80と、このリング部材80を支持する支持具本体34とを備えており、リング部材80のうち、少なくとも基板搬送プレート32挿入方向奥側の部分から、その部分に隣接し支持具本体34により支持される部分にわたる部分であって、基板54をリング部材80に載置した際に基板54よりも外側に位置する部分を他の部分よりも厚く形成した。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)