WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2007099780) スパッタリング装置およびその成膜方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/099780    国際出願番号:    PCT/JP2007/052731
国際公開日: 07.09.2007 国際出願日: 15.02.2007
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
出願人: SHINMAYWA INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1-1, Shinmeiwa-cho, Takarazuka-shi, Hyogo 6658550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FURUTSUKA, Takeshi; (米国のみ).
KONDO, Takahiko; (米国のみ)
発明者: FURUTSUKA, Takeshi; .
KONDO, Takahiko;
代理人: SUMIDA, Yoshihiro; Patent Corporate Body ARCO PATENT OFFICE 3rd Fl., Bo-eki Bldg. 123-1, Higashimachi Chuo-ku, Kobe-shi Hyogo 650-0031 (JP)
優先権情報:
2006-056608 02.03.2006 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING APPARATUS AND FILM FORMING METHOD THEREOF
(FR) APPAREIL DE PULVERISATION CATHODIQUE ET PROCEDE DE FORMATION DE FILM CORRESPONDANT
(JA) スパッタリング装置およびその成膜方法
要約: front page image
(EN)This invention relates to a sputtering apparatus and a film forming method thereof, more specifically, a technology for suitably controlling distribution characteristics of magnetron plasma in the vicinity of the surface of a target, based on magnetron discharge. In the method for forming films in the sputtering apparatus (100), a target (13) in a vacuum chamber (10) is sputtered by magnetron plasma using a discharge gas. In the method, a power supplied to the target (13) is kept constant, and a discharge gas quantity in the vacuum chamber (10) is adjusted, based on an index indicating the distribution characteristics of the magnetron plasma.
(FR)La présente invention concerne un appareil de pulvérisation cathodique et un procédé de formation de film correspondant, plus spécifiquement, une technologie reposant sur une décharge du magnétron qui permet de réguler convenablement les caractéristiques de distribution du plasma magnétron à proximité de la surface d'une cible. Selon le procédé de formation de film utilisant l'appareil de pulvérisation cathodique (100), une cible (13) disposée dans une chambre sous vide (10) est pulvérisée avec du plasma magnétron à l'aide d'un gaz de décharge. Dans le procédé, on alimente la cible (13) avec un courant maintenu constant et on régule la quantité de gaz de décharge dans la chambre sous vide (10) en s'appuyant sur un indice indiquant les caractéristiques de distribution du plasma magnétron.
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)