WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2007099727) 増幅型固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/099727    国際出願番号:    PCT/JP2007/051434
国際公開日: 07.09.2007 国際出願日: 30.01.2007
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/357 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01), H04N 5/3745 (2011.01), H04N 5/376 (2011.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho Abeno-ku Osaka-shi Osaka 545-0013 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WATANABE, Takashi, [--/JP]; (米国のみ).
YOSHIMOTO, Takahiko [--/JP]; (米国のみ)
発明者: WATANABE, Takashi,; .
YOSHIMOTO, Takahiko;
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2006-057829 03.03.2006 JP
発明の名称: (EN) AMPLIFICATION TYPE SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE A L'ETAT SOLIDE DE TYPE D'AMPLIFICATION
(JA) 増幅型固体撮像装置
要約: front page image
(EN)A reset transistor (4) is turned on for a prescribed period and the potential of a signal charge accumulating section (3) is reset, in a status where the drain side potential of an amplifying transistor (5) is reduced and the potential of a read signal line (7) is held at a first potential (Vg), prior to transferring a signal charge from a photodiode (1) to the signal charge accumulating section (3) by a scanning circuit (20). Then, the potential of the signal charge accumulating section (3) is made higher than that just after being reset, by increasing the drain side potential of the amplifying transistor (5) to have the potential of the read signal line (7) to be at a second voltage (Vrst), which is higher than the first voltage (Vg), by the scanning circuit (20). A transfer transistor (2) is turned on, and the signal charge from the photodiode (1) is transferred to the signal charge accumulating section (3).
(FR)La présente invention concerne un transistor de réinitialisation (4) mis en marche pour une durée prescrite et le potentiel d'une section d'accumulation de charge de signal (3) est réinitialisé, dans un état où le potentiel du côté drain d'un transistor d'amplification (5) est réduit et le potentiel d'une ligne de signal lu (7) est retenu à un premier potentiel (Vg), avant de transférer une charge de signal d'une photodiode (1) vers une section d'accumulation de charge de signal (3) par un circuit de balayage. Ensuite, le potentiel de la section d'accumulation de charge de signal (3) est augmenté par rapport à celui existant juste après réinitialisation, en augmentant le potentiel du côté drain du transistor d'amplification (5) pour obtenir du potentiel de ligne du signal lu (7) qu'il parvienne à une seconde tension (Vrst) qui est supérieure à la première tension (Vg), par le circuit de balayage (20). Un transistor de transfert (2) est activé et la charge de signal de la photodiode (1) est transférée à la section d'accumulation de charge du signal (3).
(JA) 走査回路20によって、フォトダイオード1からの信号電荷を信号電荷蓄積部3に転送する前に、増幅トランジスタ5のドレイン側電位を低くして読み出し信号線7の電位を第1の電位(Vg)に保持した状態で、リセットトランジスタ4を所定期間オンして信号電荷蓄積部3の電位をリセットする。その後、走査回路20によって、増幅トランジスタ5のドレイン側電位を高くして読み出し信号線7の電位を上記第1の電位(Vg)よりも高い第2の電位(Vrst)にすることにより、信号電荷蓄積部3の電位をリセット直後の電位よりも高くする。そして、上記転送トランジスタ2をオンしてフォトダイオード1からの信号電荷を信号電荷蓄積部3に転送する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)