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1. WO2007099727 - 増幅型固体撮像装置

公開番号 WO/2007/099727
公開日 07.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2007/051434
国際出願日 30.01.2007
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/335 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
H04N 5/357 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
357ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H04N 5/374 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
H04N 5/3745 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
CPC
H04N 5/3597
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
357Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
359applied to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
3597being the residual charges remaining after reading an image, e.g. ghost images or after images
H04N 5/37452
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
37452comprising additional storage means
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 Osaka 22-22, Nagaike-cho Abeno-ku Osaka-shi Osaka 545-0013, JP (AllExceptUS)
  • 渡辺 恭志 WATANABE, Takashi,; null (UsOnly)
  • 吉本 貴彦 YOSHIMOTO, Takahiko; null (UsOnly)
発明者
  • 渡辺 恭志 WATANABE, Takashi,; null
  • 吉本 貴彦 YOSHIMOTO, Takahiko; null
代理人
  • 田中 光雄 TANAKA, Mitsuo; 〒5400001 大阪府大阪市中央区城見1丁目3番7号IMPビル青山特許事務所 Osaka AOYAMA & PARTNERS IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001, JP
優先権情報
2006-05782903.03.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) AMPLIFICATION TYPE SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE A L'ETAT SOLIDE DE TYPE D'AMPLIFICATION
(JA) 増幅型固体撮像装置
要約
(EN)
A reset transistor (4) is turned on for a prescribed period and the potential of a signal charge accumulating section (3) is reset, in a status where the drain side potential of an amplifying transistor (5) is reduced and the potential of a read signal line (7) is held at a first potential (Vg), prior to transferring a signal charge from a photodiode (1) to the signal charge accumulating section (3) by a scanning circuit (20). Then, the potential of the signal charge accumulating section (3) is made higher than that just after being reset, by increasing the drain side potential of the amplifying transistor (5) to have the potential of the read signal line (7) to be at a second voltage (Vrst), which is higher than the first voltage (Vg), by the scanning circuit (20). A transfer transistor (2) is turned on, and the signal charge from the photodiode (1) is transferred to the signal charge accumulating section (3).
(FR)
La présente invention concerne un transistor de réinitialisation (4) mis en marche pour une durée prescrite et le potentiel d'une section d'accumulation de charge de signal (3) est réinitialisé, dans un état où le potentiel du côté drain d'un transistor d'amplification (5) est réduit et le potentiel d'une ligne de signal lu (7) est retenu à un premier potentiel (Vg), avant de transférer une charge de signal d'une photodiode (1) vers une section d'accumulation de charge de signal (3) par un circuit de balayage. Ensuite, le potentiel de la section d'accumulation de charge de signal (3) est augmenté par rapport à celui existant juste après réinitialisation, en augmentant le potentiel du côté drain du transistor d'amplification (5) pour obtenir du potentiel de ligne du signal lu (7) qu'il parvienne à une seconde tension (Vrst) qui est supérieure à la première tension (Vg), par le circuit de balayage (20). Un transistor de transfert (2) est activé et la charge de signal de la photodiode (1) est transférée à la section d'accumulation de charge du signal (3).
(JA)
 走査回路20によって、フォトダイオード1からの信号電荷を信号電荷蓄積部3に転送する前に、増幅トランジスタ5のドレイン側電位を低くして読み出し信号線7の電位を第1の電位(Vg)に保持した状態で、リセットトランジスタ4を所定期間オンして信号電荷蓄積部3の電位をリセットする。その後、走査回路20によって、増幅トランジスタ5のドレイン側電位を高くして読み出し信号線7の電位を上記第1の電位(Vg)よりも高い第2の電位(Vrst)にすることにより、信号電荷蓄積部3の電位をリセット直後の電位よりも高くする。そして、上記転送トランジスタ2をオンしてフォトダイオード1からの信号電荷を信号電荷蓄積部3に転送する。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報