処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

1. WO2007099690 - 有機トランジスタ及びその製造方法

公開番号 WO/2007/099690
公開日 07.09.2007
国際出願番号 PCT/JP2006/326094
国際出願日 27.12.2006
予備審査請求日 25.12.2007
IPC
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/312 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312有機物層,例.フォトレジスト
H01L 51/05 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H01L 51/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30材料の選択
CPC
H01L 21/02123
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
H01L 21/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
022the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
H01L 21/02222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
02208the precursor containing a compound comprising Si
02219the compound comprising silicon and nitrogen
02222the compound being a silazane
H01L 21/02282
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02282liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
H01L 51/052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0516characterised by the gate dielectric
052the gate dielectric comprising only organic materials
H01L 51/0529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0516characterised by the gate dielectric
0529the gate dielectric having a multilayered structure
出願人
  • パイオニア株式会社 PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 〒1538654 東京都目黒区目黒1丁目4番1号 Tokyo 4-1, Meguro 1-chome, Meguro-ku, Tokyo 1538654, JP (AllExceptUS)
  • 大田 悟 OHTA, Satoru [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者
  • 大田 悟 OHTA, Satoru; JP
代理人
  • 水野 勝文 MIZUNO, Katsufumi; 〒1000005 東京都千代田区丸の内2丁目2番3号 丸の内仲通りビル721 Tokyo 721, Marunouchi-Nakadori Bldg. 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 1000005, JP
優先権情報
2006-05166428.02.2006JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ORGANIC TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 有機トランジスタ及びその製造方法
要約
(EN)
[PROBLEMS] To provide an organic transistor wherein a leak current from a gate electrode is reduced. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] An organic transistor is provided with a substrate (1); a pair of a source electrode (4) and a drain electrode (5); an organic semiconductor layer (6) arranged between the source electrode (4) and the drain the drain electrode (5); and a gate electrode (2) arranged on the organic semiconductor layer (6) with a gate insulating layer (3) in between. The gate insulating layer (3) has a laminated structure including at least an organic insulating layer (3a) and an organic barrier layer (3b).
(FR)
L'invention concerne un transistor organique ayant un courant de fuite de grille réduit. Le transistor organique comprend un substrat (1), une paire d'électrodes formant la source (4) et le drain (5), une couche de semi-conducteur organique (6) intercalée entre les électrodes de source (4) et de drain (5) et une électrode formant la grille (2) placée sur la couche de semi-conducteur organique (6) et séparée de celle-ci par une couche d'isolation (3) de grille. La couche d'isolation (3) de grille a une structure laminée comportant au moins une couche organique isolante (3a) et une couche organique de barrière (3b).
(JA)
【課題】ゲート電極からのリーク電流を低減することができる有機トランジスタを提供する。 【解決手段】基板1、一対のソース電極4とドレイン電極5、ソース電極4とドレイン電極5間に設けられる有機半導体層6、及び有機半導体層6にゲート絶縁層3を介して設けられるゲート電極2を備える有機トランジスタであって、ゲート絶縁層3は有機絶縁層3a及び無機バリア層3bを少なくとも含む積層構造であることを特徴とする有機トランジスタ。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報