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1. (WO2007099617) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/099617    国際出願番号:    PCT/JP2006/303799
国際公開日: 07.09.2007 国際出願日: 28.02.2006
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome Nakahara-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAMATSU, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOMURO, Genichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAMATSU, Tomohiro; (JP).
KOMURO, Genichi; (JP)
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Two capacitor structures (30c, 30d) of a logic circuit area are connected in series, for example, in an FeRAM. With the configuration, time dependent dielectric breakdown of a capacitor film (25) resulting from applying a high voltage to the capacitor structures (30c, 30d) can be avoided wherever possible to significantly improve the reliability of the capacitor structures (30c, 30d).
(FR)La présente invention concerne deux structures de condensateur (30c, 30d) d'une zone de circuit logique raccordées en série, par exemple dans une FeRAM. Avec la configuration, un court-circuit diélectrique dépendant du temps d'un film de condensateur (25) et résultant de l'application d'une haute tension aux structures du condensateur (30c, 30d) peut être évité à chaque fois que possible pour améliorer considérablement la fiabilité des structures de condensateur (30c, 30d).
(JA) 例えばFeRAMにおいて、ロジック回路領域の2つのキャパシタ構造(30c,30d)を直列に接続する。この構成により、キャパシタ構造(30c,30d)への高電圧印加によるキャパシタ膜(25)の経時的な絶縁破壊を可及的に回避し、キャパシタ構造(30c,30d)の信頼性を大幅に向上させることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)