(EN) Two capacitor structures (30c, 30d) of a logic circuit area are connected in series, for example, in an FeRAM. With the configuration, time dependent dielectric breakdown of a capacitor film (25) resulting from applying a high voltage to the capacitor structures (30c, 30d) can be avoided wherever possible to significantly improve the reliability of the capacitor structures (30c, 30d).
(FR) La présente invention concerne deux structures de condensateur (30c, 30d) d'une zone de circuit logique raccordées en série, par exemple dans une FeRAM. Avec la configuration, un court-circuit diélectrique dépendant du temps d'un film de condensateur (25) et résultant de l'application d'une haute tension aux structures du condensateur (30c, 30d) peut être évité à chaque fois que possible pour améliorer considérablement la fiabilité des structures de condensateur (30c, 30d).
(JA) 例えばＦｅＲＡＭにおいて、ロジック回路領域の２つのキャパシタ構造（３０ｃ，３０ｄ）を直列に接続する。この構成により、キャパシタ構造（３０ｃ，３０ｄ）への高電圧印加によるキャパシタ膜（２５）の経時的な絶縁破壊を可及的に回避し、キャパシタ構造（３０ｃ，３０ｄ）の信頼性を大幅に向上させることができる。