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1. (WO2007097270) 成膜装置および基板処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/097270    国際出願番号:    PCT/JP2007/052929
国際公開日: 30.08.2007 国際出願日: 19.02.2007
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), B08B 7/00 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-Cho, Ukyo-Ku, Kyoto-Shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Kyoto University [JP/JP]; 36-1, Yoshida-Honmachi, Sakyo-Ku, Kyoto-Shi, Kyoto 6068501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOBAYASHI, Hirokatsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORISAKI, Eisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAMISAWA, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWAMOTO, Noriaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AKETA, Masatoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIMOTO, Tsunenobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOBAYASHI, Hirokatsu; (JP).
MORISAKI, Eisuke; (JP).
KAMISAWA, Akira; (JP).
NAKAMURA, Takashi; (JP).
KAWAMOTO, Noriaki; (JP).
AKETA, Masatoshi; (JP).
KIMOTO, Tsunenobu; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-Chome, Shibuya-Ku, Tokyo 1506032 (JP)
優先権情報:
2006-044430 21.02.2006 JP
発明の名称: (EN) FILM FORMING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE FILM ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 成膜装置および基板処理方法
要約: front page image
(EN)In a film forming apparatus, a processing container having a holding table for holding a substrate to be processed in a depressurized space is supplied with a material gas to be a material for film formation, and a film is formed on the substrate by epitaxial growing by inductively heating the substrate by a coil. The apparatus is characterized in that the inside of the processing container is cleaned by supplying the processing container with a cleaning gas and by plasma-exciting the cleaning gas.
(FR)Selon la présente invention, dans un appareil de formation de film, un récipient de traitement possédant une table de support destinée à supporter un substrat à traiter dans un espace de décompression est alimenté en matière gazeuse utilisée pour former un film, et un film est formé sur le substrat par croissance épitaxiale en chauffant par induction le substrat à l'aide d'une bobine. L'appareil se caractérise en ce que l'intérieur du récipient de traitement se nettoie par introduction d'un gaz de nettoyage excité au plasma.
(JA) 被処理基板を保持する保持台を内部の減圧空間に備えた処理容器に、成膜の原料となる原料ガスを供給するとともに、前記被処理基板をコイルにより誘導加熱することで、該被処理基板上にエピタキシャル成長による成膜を行う成膜装置であって、前記処理容器にクリーニングガスを供給するとともに、該クリーニングガスをプラズマ励起することで、前記処理容器内のクリーニングを行うよう構成されていることを特徴とする成膜装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)