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1. (WO2007097024) 気化器、半導体製造装置及び半導体製造方法

Pub. No.:    WO/2007/097024    International Application No.:    PCT/JP2006/303616
Publication Date: 2007/08/30 International Filing Date: 2006/02/27
IPC: H01L 21/205
C23C 16/448
Applicants: YOUTEC CO., LTD.
株式会社ユーテック
YAMOTO, Hisayoshi
矢元 久良
KOSHIMAE, Shinichi
腰前 伸一
HONDA, Yuji
本多 祐二
Inventors: YAMOTO, Hisayoshi
矢元 久良
KOSHIMAE, Shinichi
腰前 伸一
HONDA, Yuji
本多 祐二
Title: 気化器、半導体製造装置及び半導体製造方法
Abstract:
原料ガスの使用効率を格段と向上し得るとともに、原料ガスに応じた膜厚を均一に形成でき、かつ従来に比してメンテナンス頻度を少なくして生産性を向上させ得る気化器、半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。 ALD動作時、反応室402にキャリアガスを供給し続け、微量定量ポンプ54で定量した1原子層又は1分子層の膜厚に応じた所定量の原料溶液を間欠的に気化機構20に供給し、これにより得られた所定量の原料溶液からなる原料ガスをキャリアガスと共に反応室402に供給するようにした。従って、ガスシャワー式熱CVD装置1では、反応室側バルブ404及びベント側バルブ407の開閉動作によって原料ガスが廃棄されるのを回避しながら、1原子層又は1分子層でなる所望の膜厚の薄膜を基板420上に順次形成させてゆくことができ、かくして1原子層又は1分子層の薄膜を順次形成してゆく過程で原料ガスを廃棄しない分だけ原料ガスの使用効率を格段と向上させ得る。