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1. (WO2007096939) 光半導体装置とその製造方法

Pub. No.:    WO/2007/096939    International Application No.:    PCT/JP2006/302975
Publication Date: 2007/08/30 International Filing Date: 2006/02/20
IPC: H01S 5/20
Applicants: FUJITSU LIMITED
富士通株式会社
TAKADA, Kan
高田 幹
YAMAMOTO, Tsuyoshi
山本 剛之
Inventors: TAKADA, Kan
高田 幹
YAMAMOTO, Tsuyoshi
山本 剛之
Title: 光半導体装置とその製造方法
Abstract:
【課題】従来よりも発光効率が高められた光半導体装置とその製造方法を提供すること。 【解決手段】InP基板20と、InP基板20上に形成された下部クラッド層21と、下部クラッド層21上に形成されたAlGaInAsよりなる下部光ガイド層22と、下部光ガイド層22上に形成され、井戸層23aとAlGaInAsよりなるバリア層23bとが交互に積層された多重量子井戸構造を有する活性層23と、活性層23上に形成されたInGaAsPよりなる上部光ガイド層24と、上部光ガイド層24上に形成された上部クラッド層25とを備えた第1光半導体素子51を有することを特徴とする光半導体装置による。