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1. (WO2007091638) サセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/091638    国際出願番号:    PCT/JP2007/052225
国際公開日: 16.08.2007 国際出願日: 08.02.2007
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01)
出願人: SUMCO TECHXIV CORPORATION [JP/JP]; 1324-2, Masuragahara-machi Omura-shi, Nagasaki 856-8555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIKIDO, Kouichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Motonori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIROSAWA, Atsuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IIDA, Noboru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SATO, Norihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGATO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAMEI, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIKIDO, Kouichi; (JP).
NAKAMURA, Motonori; (JP).
HIROSAWA, Atsuhiko; (JP).
IIDA, Noboru; (JP).
SATO, Norihiko; (JP).
NAGATO, Atsushi; (JP).
KAMEI, Toshiyuki; (JP)
代理人: KINOSHITA & ASSOCIATES; 3rd. floor, Ogikubo TM building 26-13, Ogikubo 5-chome Suginami-ku, Tokyo 1670051 (JP)
2006-032878 09.02.2006 JP
(FR) suscepteur et appareil de fabrication de galette épitaxiale
(JA) サセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置
要約: front page image
(EN)This invention provides a susceptor, which can suppress a variation in the thickness of an epitaxial film in a substrate wafer on its surface peripheral part, and an apparatus for manufacturing an epitaxial wafer. An approximately disk-shaped wafer mounting part (21) and an approximately ring plate-shaped peripheral part (22) are provided on a susceptor (2). The wafer mounting part (21) has a larger outside diameter than a substrate wafer (W). The peripheral part (22) has an inner peripheral face (22A), which stands so as to surround the periphery of the wafer mounting part (21), and an upper face (22B) protruded outward from the upper end of the inner peripheral face (22A) along the mounting face (21A) of the wafer mounting part (21). A vapor growth control part (23), formed of SiO2 which is less likely to react with a reactive gas as compared with an SiC film, is provided so that the inner peripheral face (23A) conforms to the inner peripheral face (22A) in the peripheral part (22) and the upper face (23B) conforms to the upper face (22B) in the peripheral part (22).
(FR)La présente invention concerne un suscepteur, capable de supprimer toute variation de l'épaisseur d'un film épitaxial dans une galette de substrat sur sa partie périphérique superficielle, et un appareil de fabrication de galette épitaxiale. Une pièce de montage de galette sensiblement en forme de disque (21) et une partie périphérique sensiblement en forme de plaque annulaire (22) sont montées sur un suscepteur (2). La pièce de montage de galette (21) possède un diamètre externe supérieur à celui d'une galette de substrat (W). La partie périphérique (22) présente une face périphérique interne (22A), disposée pour entourer la périphérie de la pièce de montage de galette (21), et une face supérieure (22B) faisant saillie vers l'extérieur depuis l'extrémité supérieure de la face périphérique interne (22A) le long de la face de montage (21A) de la pièce de montage de galette (21). Une pièce de commande de croissance de vapeur (23), constituée de SiO2 présentant moins de risques de réaction avec un gaz réactif qu'avec un film SiC, est prévue de sorte que la face périphérique interne (23A) épouse la face périphérique interne (22A) de la partie périphérique (22) et que la face supérieure (23B) épouse la face supérieure (22B) de la partie périphérique (22).
(JA) 基板ウェハの表面外周部におけるエピタキシャル膜の膜厚ばらつきを抑制できるサセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。サセプタ2に、基板ウェハWよりも大きい外形を有する略円板状のウェハ載置部21と、このウェハ載置部21の周縁を囲む状態に起立する内周面22Aおよびこの内周面22Aの上端からウェハ載置部21の載置面21Aに沿って外側に延出形成される上面22Bを有する略リング板状の周縁部22と、を設けている。気相成長制御部23を、内周面23Aが周縁部22の内周面22Aに倣い、かつ、上面23Bが周縁部22の上面22Bに倣う状態で、SiC被膜と比べて反応ガスとの反応が抑制されるSiOにより形成して設けている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)