WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2007091412) パターン膜形成方法及びパターン膜形成装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/091412    国際出願番号:    PCT/JP2007/050676
国際公開日: 16.08.2007 国際出願日: 18.01.2007
IPC:
B05D 1/26 (2006.01), B05D 3/04 (2006.01), C08J 7/04 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01)
出願人: Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KONDO, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIWAKI, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KONDO, Yoshikazu; (JP).
NISHIWAKI, Akira; (JP)
優先権情報:
2006-030833 08.02.2006 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PATTERN FILM FORMATION AND PATTERN FILM FORMING APPARATUS
(FR) procédé de formation de film en motif et appareil de formation de film en motif
(JA) パターン膜形成方法及びパターン膜形成装置
要約: front page image
(EN)This invention provides a method for pattern film formation, which can form a dense and defect-free electroconductive pattern even in the case of low-temperature treatment and, in the formation of a pattern film in the same thickness as in a pattern film formed by the conventional method, can stably form a pattern film, which is excellent in properties such as electroconductive properties, film strength, and transmittance, is improved in stability under high temperature and high humidity conditions, and is free from dropouts of the pattern film through the use of a simple apparatus, and a pattern film forming apparatus. The method for pattern film formation is characterized in that a thin film in a predetermined geometrical figure pattern form is applied on a base material using a metal ion-containing solution followed by atmospheric plasma treatment of the thin film to form a pattern film.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation de film en motif, capable de constituer un motif électroconducteur dense et sans défaut même en cas de traitement à basse température et, lors de la formation d'un film à motif de la même épaisseur qu'un film à motif obtenu selon le procédé conventionnel, capable de constituer de manière stable un film à motif excellent en termes de propriétés électroconductrices, de résistance de film, et de transmittance, dont la stabilité est accrue dans des conditions de température élevée et de forte humidité, et sans rejets du film à motif grâce à l'utilisation d'un simple appareil, et un appareil de formation de film en motif. Le procédé de formation de film en motif est caractérisé en ce qu'un film mince de forme de motif à figure géométrique prédéterminée est appliqué sur un matériau de base à l'aide d'une solution contenant des ions métalliques suivi d'un traitement au plasma atmosphérique du mince film pour constituer un film en motif.
(JA) 本発明は、低温処理であっても、緻密で欠陥のない導電パターンを形成でき、従来の方法と同じ厚みでパターン膜を形成した場合、導電性や膜強度、透過率等の物性に優れ、かつ高温高湿下での安定性が向上し、パターン膜の欠落がないパターン膜を、簡便な装置で安定して形成することができるパターン膜形成方法及びパターン膜形成装置を提供する。このパターン膜形成方法は、基材上に、金属イオンを含む溶液を用いて幾何学図形の所定パターン状の薄膜を付与した後、該薄膜を大気圧プラズマ処理してパターン膜を形成することを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)