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1. (WO2007091383) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2007/091383    International Application No.:    PCT/JP2007/000037
Publication Date: 2007/08/16 International Filing Date: 2007/01/29
IPC: H01L 21/338
H01L 29/06
H01L 29/778
H01L 29/80
H01L 29/812
H04L 25/06
H04L 25/03
Applicants: NEC CORPORATION
日本電気株式会社
ANDO, Yuji
安藤裕二
MIYAMOTO, Hironobu
宮本広信
OKAMOTO, Yasuhiro
岡本康宏
NAKAYAMA, Tatsuo
中山達峰
INOUE, Takashi
井上隆
Inventors: ANDO, Yuji
安藤裕二
MIYAMOTO, Hironobu
宮本広信
OKAMOTO, Yasuhiro
岡本康宏
NAKAYAMA, Tatsuo
中山達峰
INOUE, Takashi
井上隆
Title: 半導体装置
Abstract:
 電子供給層13は、チャネル層12とヘテロ接合しており、InzAlxGa1-z-xN(0≦z<1、0<x<1、0<x+z<1)を含む層である。電子供給層13上には、電子供給層13に接するゲート電極17が設置されている。電子供給層13のチャネル層12との界面におけるAl組成比x1および電子供給層13のゲート電極17との界面におけるAl組成比xaは、以下の条件を満たす。 x1/2≦xa<x1    x1≦0.3