WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2007088695) 半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/088695    国際出願番号:    PCT/JP2006/326075
国際公開日: 09.08.2007 国際出願日: 27.12.2006
IPC:
H01L 21/52 (2006.01), B23K 1/008 (2006.01), B23K 31/02 (2006.01), H01L 21/58 (2006.01), H05K 3/34 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI [JP/JP]; 2-1, Toyoda-cho, Kariya-shi, Aichi 4488671 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIMBARA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIMBARA, Masahiko; (JP)
代理人: ONDA, Hironori; 12-1, Ohmiya-cho 2-chome, Gifu-shi, Gifu 5008731 (JP)
優先権情報:
2006-023149 31.01.2006 JP
発明の名称: (EN) SOLDERING APPARATUS, SOLDERING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) APPAREIL DE BRASAGE, PROCÉDÉ DE BRASAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半田付け装置、半田付け方法、及び半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)The normal pressure (P) in a reflow chamber (20) is adjusted to a set pressure (P1) (for instance, 0.13Mpa), which is higher than the normal pressure (Po), by introducing a reducing gas into the reflow chamber (20). In the status where the reflow chamber (20) is pressurized, an object (92) to be soldered is heated in the reflow chamber (20) and then cooled. In such manner, a semiconductor element (12) is soldered to a circuit board (11). Thus, generation of voids is suppressed.
(FR)Dans la présente invention, la pression normale (P) d'une chambre à refusion (20) est ajustée à une pression déterminée (P1) (par exemple 0,13 Mpa) qui est supérieure à la pression normale (Po), en introduisant un gaz réducteur dans la chambre à refusion (20). À l'état dans lequel la chambre à refusion (20) est pressurisée, un objet (92) à braser est chauffé dans la chambre à refusion (20) puis refroidi. De cette façon, un élément semi-conducteur (12) est brasé à une carte de circuit imprimé (11). Cela permet de supprimer la génération de vides.
(JA)リフロー室(20)に還元性ガスを導入することによって、リフロー室(20)の圧力(P)を、常圧(Po)よりも高い圧力である設定圧力P1(例えば0.13MPa)に調節する。このようにリフロー室(20)を加圧した状態において、リフロー室(20)において半田付け対象物(92)を加熱し、その後に冷却する。そうすることによって、回路基板(11)に対する半導体素子(12)の半田付けを行う。よって、ボイドの発生が抑制される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)