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1. (WO2007086442) SOIウェーハの製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/086442    国際出願番号:    PCT/JP2007/051128
国際公開日: 02.08.2007 国際出願日: 25.01.2007
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: F.T.L. CO., LTD. [JP/JP]; ROOM 302, Noborito Highdens, 2578 Noborito, Tama-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2140014 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAGI, Mikio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAGI, Mikio; (JP)
代理人: MURAI, Takuo; Suite 502, Fines Bldg. Minatomirai, 20, Kaigandori 4 chome, Naka-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2310002 (JP)
2006-018658 27.01.2006 JP
(JA) SOIウェーハの製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide an SOI wafer, which can eliminate the need to conduct lamination, ion implantation and the like, and to improve the properties of an Si layer in applying a conventional laser crystallization technique to wafers for ICs. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A material comprising SiO2 at least on its surface is provided as a substrate (1). A polycrystalline Si layer or an amorphous Si layer (3) having a hydrogen concentration of not more than 1% by mass is formed on this surface to a thickness of not more than 400 nm. A solid continuous wave laser is scanned over the Si layer (3) at an energy of not less than 10 J/cm2 per area to which laser beam spots are exposed. The surface of the laser scanned Si layer (3) is treated by CMP (chemical mechanical polishing) followed by heat treatment in a hydrogen atmosphere in a temperature range of 800 to 1200ºC.
(FR)La présente invention concerne une plaquette SOI qui permet d’éliminer le besoin de réaliser une stratification, une implantation d’ions et similaire, et d’améliorer les propriétés d’une couche de Si en appliquant une technique de cristallisation au laser conventionnelle à des plaquettes pour circuits intégrés. Ces plaquettes comportent comme substrat (1) un matériau comprenant du SiO2 au moins sur sa surface. Une couche de Si polycristallin ou une couche de Si amorphe (3) dont la concentration en hydrogène est inférieure ou égale à 1% en masse est disposée sur cette surface jusqu’à une épaisseur inférieure ou égale à 400 nm. Un laser à onde continue solide balaye la couche de Si (3) à une énergie supérieure ou égale à 10 J/cm2 par aire à laquelle des spots de faisceau laser sont exposés. La surface de la couche de Si (3) balayée au laser est traitée par CMP (polissage mécanique et chimique) suivi d’un traitement thermique dans une atmosphère d’hydrogène dans une plage de température comprise entre 800 et 1200°C.
(JA)【課題】貼り合わせ、イオン注入などの必要がないSOIウェーハを提供する。また、従来のレーザー結晶化技術をIC用ウェーハに適用する際にSi層の性能を改良する。 【解決手段】基板1として、少なくも表面がSiO2からなる材料を使用し、この表面に、多結晶Si層または水素濃度が1質量%以下の非晶質Si層3を厚さ400nm以下に形成する。Si層3に、レーザー光のスポットが照射される面積当たり10J/cm2以上のエネルギーで固体連続波レーザーを走査する。次に、レーザーを走査したSi層3の表面をCMP(chemical mechanical polishing)処理した後,水素雰囲気で800~1200°Cの温度範囲で熱処理する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)