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1. (WO2007080795) 窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/080795    国際出願番号:    PCT/JP2006/326097
国際公開日: 19.07.2007 国際出願日: 27.12.2006
予備審査請求日:    09.07.2007    
IPC:
H01S 5/042 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HASEGAWA, Yoshiaki; (米国のみ).
SUGAHARA, Gaku; (米国のみ).
YOKOGAWA, Toshiya; (米国のみ)
発明者: HASEGAWA, Yoshiaki; .
SUGAHARA, Gaku; .
YOKOGAWA, Toshiya;
代理人: OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor Osaka Securities Exchange Bldg. 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
優先権情報:
2006-003374 11.01.2006 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) ELEMENT LUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR NITRURE, DISPOSITIF LUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR NITRURE ET PROCEDE DE FABRICATION D’UN TEL DISPOSITIF
(JA) 窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A nitride semiconductor device is provided with an n-GaN substrate (10), and a semiconductor laminated structure, which is formed on the main plane of the n-GaN substrate (10) and includes a p-type region, an n-type region, and an active layer between such regions. On the upper plane of the semiconductor laminated structure, an SiO2 layer (30) having an opening section and a p-side electrode in contact with a part of the p-type region included in the semiconductor laminated structure are formed. On the rear plane of the substrate (10), an n-side electrode (36) is formed. The p-side electrode includes a p-side contact electrode (2) having contact with a part of the p-type region, and a p-side wiring electrode (34) covering the p-side contact electrode (2) and the SiO2 layer (30). A part of the p-side contact electrode (32) is exposed from the p-side wiring electrode (34).
(FR)L’invention concerne un dispositif à semi-conducteur nitrure pourvu d’un substrat en n-GaN (10) et d’une structure laminée semi-conductrice, ladite structure étant formée sur le plan principal dudit substrat (10) en n-GaN et incluant une région de type p et une région de type n séparées par une couche active. Sur le plan supérieur de la structure laminée semi-conductrice sont formées une couche (30) de SiO2 comportant une partie d’ouverture et une électrode de côté p, ladite électrode se trouvant en contact avec une partie de la région de type p de ladite structure laminée. Sur le plan arrière du substrat (10) est formée une électrode (36) de côté n. L’électrode de côté p inclut une électrode (2) de contact côté p qui se trouve en contact avec une partie de la région de type p, et une électrode de câblage (34) côté p recouvrant l’électrode (2) et la couche (30) de SiO2. Une partie de l’électrode de contact (32) côté p n’est pas recouverte par l’électrode de câblage (34) côté p.
(JA) 本発明の窒化物半導体装置は、n-GaN基板10と、n-GaN基板10の主面に形成され、p型領域およびn型領域とその間に活性層を含む半導体積層構造とを備えている。半導体積層構造上面には、開口部を有するSiO2層30と、半導体積層構造に含まれるp型領域の一部に接触するp側電極とが形成され、基板10の裏面にはn側電極36が形成されている。p側電極は、p型領域の一部に接触するp側コンタクト電極2と、p側コンタクト電極2およびSiO2層30を覆うp側配線電極34とを含んでおり、p側コンタクト電極32の一部がp側配線電極34から露出している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)