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1. (WO2007080672) 半導体装置及び表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/080672    国際出願番号:    PCT/JP2006/317641
国際公開日: 19.07.2007 国際出願日: 06.09.2006
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01)
出願人: Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YASUMATSU, Takuto [JP/--]; (米国のみ)
発明者: YASUMATSU, Takuto;
代理人: YASUTOMI, Yasuo; MT-2 BLDG., 5-36, Miyahara 3-chome Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka 5320003 (JP)
優先権情報:
2006-005402 12.01.2006 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 半導体装置及び表示装置
要約: front page image
(EN)This invention provides a semiconductor device, which comprises a circuit element capable of improving performance and a circuit element capable of improving pressure resistance provided on an identical substrate and, at the same time, can realize high reliability, and a display device. The semiconductor device comprises a substrate and a first circuit element and a second circuit element provided on the substrate. The first circuit element has a structure comprising a first semiconductor layer, a first insulating film, a first conductive layer, and a third insulating film stacked in that order. The second circuit element has a structure comprising a second semiconductor layer, a second insulating film having a larger thickness than the first insulating film, and a second conductive layer stacked in that order. The first insulating film has a laminated structure in which the uppermost layer is formed of silicon nitride. The second insulating film comprises a lower layer part having a laminated structure of the first insulating film and an upper layer part including a structure of the third insulating film on the first conductive layer.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs, qui comprend un élément de circuit capable d'améliorer les performances et un élément de circuit capable d'améliorer la résistance à la pression prévue sur un substrat identique et, au même moment, peut obtenir une forte fiabilité, ainsi qu'un dispositif d'affichage. Le dispositif à semi-conducteurs comprend un substrat et un premier élément de circuit, ainsi qu'un second élément de circuit prévu sur le substrat. Le premier élément de circuit possède une structure comprenant une première couche à semi-conducteurs, un premier film isolant, une première couche conductrice et un troisième film isolant empilés dans cet ordre. Le second élément de circuit possède une structure comprenant une seconde couche à semi-conducteurs, un deuxième film isolant d'une épaisseur supérieure à celle du premier et une seconde couche conductrice empilés dans cet ordre. Le premier film isolant possède une structure stratifiée dans laquelle la couche supérieure est formée d'un nitrure de silicium. Le second film isolant comprend une partie de couche inférieure ayant une structure stratifiée du premier film isolant et une partie de souche supérieure ayant une structure du troisième film isolant sur la première couche conductrice.
(JA)本発明は、高性能化を図ることができる回路素子と高耐圧化を図ることができる回路素子とを同一の基板上に有し、かつ高信頼性化を図ることができる半導体装置及び表示装置を提供する。本発明の半導体装置は、第1半導体層、第1絶縁膜、第1導電層及び第3絶縁膜がこの順に積層された構造を有する第1回路素子と、第2半導体層、第1絶縁膜よりも膜厚が大きい第2絶縁膜及び第2導電層がこの順に積層された構造を有する第2回路素子とを基板上に有する半導体装置であって、上記第1絶縁膜は、最上層が窒化シリコンからなる積層構造を有し、上記第2絶縁膜は、第1絶縁膜の積層構造を有する下層部と、第1導電層上の第3絶縁膜の構造を含む上層部とから構成されるものである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)