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1. (WO2007077957) 多結晶シリコンの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/077957    国際出願番号:    PCT/JP2006/326358
国際公開日: 12.07.2007 国際出願日: 26.12.2006
IPC:
C01B 33/033 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMABAYASHI, Toshiharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMABAYASHI, Toshiharu; (JP).
HATA, Masahiko; (JP)
代理人: ENOMOTO, Masayuki; c/o Sumitomo Chemical Intellectual Property Service, Limited 5-33, Kitahama 4-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5418550 (JP)
優先権情報:
2005-374252 27.12.2005 JP
2006-147729 29.05.2006 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR THE PRODUCTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCEDE POUR LA FABRICATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコンの製造方法
要約: front page image
(EN)The invention relates to a process for the production of polycrystalline silicon which comprises the following steps (A), (B) and (C): the step (A) of reducing a chlorosilane represented by the general formula (1): SiHnCl4-n (1) (wherein n is an integer of 0 to 3) with a metal at a temperature T1 into a silicon compound, the step (B) of transferring the silicon compound to a section having a temperature T2 (wherein T1 > T2), and the step (C) of depositing polycrystalline silicon in the section having a temperature T2, with the provisos that T1 is at least 1.29 times the melting point (absolute temperature) of the metal and that T2 is higher than the subliming or boiling point of chloride of the metal. The process enables the production of high-purity polycrystalline silicon in high yield. Further, the invention includes solar batteries provided with the polycrystalline silicon obtained the process and equipment for manufacturing polycrystalline silicon.
(FR)Cette invention se rapporte à un procédé pour la fabrication de silicium polycristallin comprenant les étapes suivantes (A), (B) et (C) : l'étape (A) consiste à réduire un chlorosilane représenté par la formule générale (1) : SiHnCl4-n (1) (où n est un nombre entier compris entre 0 et 3) avec un métal à une température T1 en un composé de silicium, l’étape (B) consiste à transférer le composé de silicium vers une section de température T2 (où T1 > T2), et l’étape (C) consiste à déposer du silicium polycristallin dans la section de température T2, à condition que T1 soit égale à au moins 1,29 fois le point de fusion (température absolue) du métal et que T2 soit supérieure au point de sublimation ou d’ébullition du chlorure du métal. Ce procédé permet la production de silicium polycristallin très pur avec un rendement élevé. De plus, cette invention se rapporte à des piles solaires dotées de silicium polycristallin, une fois obtenus le procédé et le matériel nécessaires à la fabrication de silicium polycristallin.
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)