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1. (WO2007077814) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/077814    国際出願番号:    PCT/JP2006/325868
国際公開日: 12.07.2007 国際出願日: 26.12.2006
IPC:
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HASE, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HASE, Takashi; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2006-001359 06.01.2006 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)This invention provides a semiconductor device that can prevent a deviation of work function by adopting a gate electrode having an even composition and has excellent operating characteristics by virtue of effective control of Vth. The semiconductor device is characterized by comprising a PMOS transistor, an NMOS transistor, a gate insulating film comprising an Hf-containing insulating film with high permittivity, a line electrode comprising a silicide region (A) and a silicide region (B), one of the silicide regions (A) and (B) comprising a silicide (a) of a metal M, which serves as a diffusing species in a silicide reaction, the other silicide region comprising a silicide layer (C) in contact with a gate insulating film, the silicide layer (C) comprising a silicide (b) of a metal M, which has a smaller atom composition ratio of the metal M than the silicide (a), and an impurity which can substantially prevent the diffusion of the metal M in the silicide (b).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs capable d'empêcher une déviation de la fonction de travail en adoptant une électrode de grille ayant une composition égale et qui possède d'excellentes caractéristiques de fonctionnement en vertu d'un contrôle efficace de Vth. Le dispositif à semi-conducteurs est caractérisé en ce qu'il comprend un transistor PMOS, un transistor NMOS, un film d'isolation de grille comprenant un film d'isolation contenant du Hf avec une forte permittivité, une électrode de ligne comprenant une région de siliciure (A) et une région de siliciure (B), l'une d'elles (A, B) comprenant une siliciure (a) d'un métal (M), qui sert d'espèce de diffusion dans une réaction de siliciure, l'autre comprenant une couche de siliciure (C) en contact avec un film d'isolation de grille, la couche de siliciure (C) comprenant une siliciure (b) d'un métal (M), possédant un rapport de composition d'atome inférieur du métal (M) à la siliciure (a) et une impureté qui peut sensiblement empêcher la diffusion du métal (M) dans la siliciure (b).
(JA) 均一な組成からなるゲート電極とすることによって仕事関数のずれを防止し、Vthを効果的に制御して動作特性に優れた半導体装置を得る。PMOSトランジスタとNMOSトランジスタとを有し、ゲート絶縁膜はHfを含む高誘電率絶縁膜を有し、ライン状電極はシリサイド領域(A)とシリサイド領域(B)とからなり、シリサイド領域(A)とシリサイド領域(B)のうち、一方のシリサイド領域はシリサイド化反応において拡散種となる金属Mのシリサイド(a)を含み、他方のシリサイド領域はゲート絶縁膜に接するようにシリサイド層(C)を有し、シリサイド層(C)はシリサイド(a)より金属Mの原子組成比が小さな金属Mのシリサイド(b)と、シリサイド(b)中の金属Mの拡散を実質的に防止する不純物とを含むことを特徴とする半導体装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)