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1. (WO2007077748) 半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/077748    国際出願番号:    PCT/JP2006/325465
国際公開日: 12.07.2007 国際出願日: 21.12.2006
IPC:
H01L 29/78 (2006.01)
出願人: NEC Corporation [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKUDA, Yoshifumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WAKABAYASHI, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKUDA, Yoshifumi; (JP).
WAKABAYASHI, Hitoshi; (JP)
代理人: MARUYAMA, Takao; MARUYAMA PATENT OFFICE, SAM Build. 3floor 38-23, Higashi-Ikebukuro 2-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2005-374092 27.12.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device capable of increasing a strain quantity given by a stress provided film and increasing a drive force in a MOS transistor having an elevated region; and a method of fabricating the semiconductor device. An element isolation region (102), a gate insulation film (103), a gate electrode (104), an extension (105) and a side-wall insulation film (106) are formed on a silicon substrate. Then, an elevated region (107) is formed to form a source/drain (108) and a silicide layer (109). Next, the side-wall insulation film (106) is etched to leave the interval between it and the elevated region (107), and a stress provided film (110) is buried individually.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs capable d'augmenter la contrainte donnée par un film réalisant une tension et augmentant une force d'attaque dans un transistor MOS ayant une région élevée, ainsi qu'un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteurs. Une région d'isolation d'élément (102), un film d'isolation de grille (103), une électrode de grille (104), une extension (105) et un film d'isolation du côté de la paroi (106) sont formés sur un substrat de silicium. Puis une région élevée (107) est constituée pour former une source/drain (108) et une couche de siliciure (109). Ensuite, le film d'isolation de paroi latérale (106) est décapé pour laisser l'intervalle entre eux et la région élevée (107), et un film avec tension (110) est individuellement enterré.
(JA) せり上げ領域を有するMOSトランジスタにおいて、応力具有膜によって与えられる歪み量を増加し、駆動力を増加できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。  シリコン基板に素子分離領域102、ゲート絶縁膜103、ゲート電極104、エクステンション105、側壁絶縁膜106を形成する。その後、せり上げ領域107を形成し、ソース・ドレイン108、シリサイド層109を形成する。次に側壁絶縁膜106をエッチングし、せり上げ領域107との間に間隔を設け、個々に応力具有膜110を埋め込む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)