WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
maximize
自動翻訳
1. (WO2007077740) 半導体光素子
注意: このテキストは、OCR 処理によってテキスト化されたものです。法的な用途には PDF 版をご利用ください。

請求の範囲

[1] 半導体基板と、

この半導体基板上に設けられた活性領域、および前記活性領域上に設けられた第 一電極を有する第一メサと、

前記半導体基板上に設けられ、半導体層および前記半導体層上に設けられた第 二電極を有する第二メサと、

前記半導体基板上に設けられ、半導体層を有する第三メサと、

を備え、

前記第三メサが、前記第一メサを囲むように配置されていることを特徴とする半導体 光素子。

[2] 請求項 1に記載の半導体光素子において、

前記第一メサと、前記第二メサとの間に、前記三メサの一部が位置することを特徴と する半導体光素子。

[3] 請求項 1または 2に記載の半導体光素子において、

前記第三メサの高さ寸法は、第一メサの高さ寸法と等しい、または第一メサの高さ 寸法よりも高いことを特徴とする半導体光素子。

[4] 請求項 1乃至 3のいずれかに記載の半導体光素子において、

前記第三メサの頂部には、引出電極が形成され、

前記第一メサの第一電極と、第三メサの頂部の前記引出電極との間を接続する配 線が設けられていることを特徴とする半導体光素子。

[5] 請求項 4に記載の半導体光素子において、

前記配線は、第一メサと第三メサとの間の空隙の上方をまたぐように配置され、 前記配線の下部には、絶縁膜が充填されていることを特徴とする半導体光素子。

[6] 請求項 1乃至 5のいずれかに記載の半導体光素子において、

前記第一メサの頂部の面積は、第二メサの頂部の面積よりも小さ、ことを特徴とす る半導体光素子。

[7] 請求項 1乃至 6のいずれかに記載の半導体光素子において、

当該半導体光素子は、半導体受光素子であり、

前記第一メサの活性領域は、光吸収層であり、

前記第一メサと、前記第二メサとは、前記半導体基板上に形成された導電層を介し て電気的に接続されていることを特徴とする半導体光素子。

[8] 請求項 1乃至 6のいずれかに記載の半導体光素子において、

当該半導体光素子は、半導体発光素子であり、

前記第一メサの活性領域は、発光層であることを特徴とする半導体光素子。

[9] 請求項 1乃至 8のいずれかに記載の半導体光素子において、

当該半導体光素子は、前記各メサの頂部を実装基板側に向けて前記実装基板に 実装されるものであることを特徴とする半導体光素子。