WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2007077740) 半導体光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/077740    国際出願番号:    PCT/JP2006/325398
国際公開日: 12.07.2007 国際出願日: 20.12.2006
IPC:
H01L 31/10 (2006.01), H01L 33/20 (2010.01), H01S 5/183 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WATANABE, Sawaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIBA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKATA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WATANABE, Sawaki; (JP).
SHIBA, Kazuhiro; (JP).
NAKATA, Takeshi; (JP)
代理人: HAYAMI, Shinji; Daikanyama TK Bldg. 1F, 2-17-16, Ebisu-Nishi, Shibuya-ku Tokyo 1500021 (JP)
優先権情報:
2005-372366 26.12.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体光素子
要約: front page image
(EN)Disclosed is a light-receiving device (1) comprising a semiconductor substrate (101), a first mesa (11) having an active region formed on the semiconductor substrate (101) and a first electrode (a p-side electrode (111)) formed on the active region, a second mesa (12) formed on the semiconductor substrate (101) and having a semiconductor layer and a second electrode (an n-side electrode (121)) formed on the semiconductor layer, and a third mesa (13) formed on the semiconductor substrate (101) and having a semiconductor layer. The third mesa (13) is so arranged as to surround the first mesa (11).
(FR)La présente invention concerne un dispositif de réception de la lumière (1) comprenant un substrat à semi-conducteurs (101), une première mésa (11) ayant une région active formée sur le substrat à semi-conducteurs (101) et une première électrode (électrode côté p (111)) formée sur la région active, une deuxième mésa (12) formée sur le substrat à semi-conducteurs (101) et ayant une couche à semi-conducteurs et une seconde électrode (une électrode côté n (121)) formée sur la couche à semi-conducteurs et une troisième mésa (13) formée sur le substrat à semi-conducteurs (101) et ayant une couche à semi-conducteurs. La troisième mesa (13) est placée de manière à entourer la première (11).
(JA)  受光素子1は、半導体基板101と、この半導体基板101上に設けられた活性領域、および活性領域上に設けられた第一電極(p側電極111)を有する第一メサ11と、半導体基板101上に設けられ、半導体層および半導体層上に設けられた第二電極(n側電極121)を有する第二メサ12と、半導体基板101上に設けられ、半導体層を有する第三メサ13と、を備え、第三メサ13は、第一メサ11を囲むように配置されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)