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1. (WO2007077598) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/077598    国際出願番号:    PCT/JP2005/024059
国際公開日: 12.07.2007 国際出願日: 28.12.2005
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUGAWARA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUGAWARA, Hiroki; (JP).
NAGAI, Kouichi; (JP)
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building, 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A ferroelectric capacitor is formed above a semiconductor substrate (1), and wiring (24a) is then formed. A barrier film (25) for covering the wiring (24a) is formed. A silicon oxide film (26) for filling a space between adjacent wirings (24a) is formed. The silicon oxide film (26) is polished by CMP until the surface of the barrier film (25) is exposed. A barrier film (27) is formed on the barrier film (25) and the silicon oxide film (26). An aluminum oxide film is formed as the barrier films (25, 27).
(FR)Selon l'invention, un condensateur ferroélectrique est formé sur un substrat semiconducteur (1), et un câblage (24a) est ensuite formé. Un film de barrière (25) permettant de couvrir le câblage (24a) est formé. Un film d'oxyde de silicium (26) permettant de remplir un espace entre des câblages adjacents (24a) est formé. Le film d'oxyde de silicium (26) est poli par polissage chimico-mécanique jusqu'à ce que la surface du film de barrière (25) soit exposée. Un film de barrière (27) est formé sur le film de barrière (25) et sur le film d'oxyde de silicium (26). Un film d'oxyde d'aluminium est formé comme étant les films de barrières (25, 27).
(JA) 半導体基板(1)の上方に、強誘電体キャパシタを形成した後、配線(24a)を形成する。配線(24a)を覆うバリア膜(25)を形成する。隣り合う配線(24a)間の隙間を埋めるシリコン酸化膜(26)を形成する。CMP法により、バリア膜(25)の表面が露出するまでシリコン酸化膜(26)を研磨する。バリア膜(25)及びシリコン酸化膜(26)上にバリア膜(27)を形成する。バリア膜(25、27)としては、酸化アルミニウム膜を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)