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1. (WO2007074897) 半導体発光素子およびその製法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/074897    国際出願番号:    PCT/JP2006/326216
国際公開日: 05.07.2007 国際出願日: 28.12.2006
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAGUCHI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAGUCHI, Atsushi; (JP).
NAKAHARA, Ken; (JP)
代理人: KAWAMURA, Kiyoshi; KAWAMURA & CO. Shinei Bldg. 6E, 5-1 Nishinakajima 4-chome, Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2005-380682 29.12.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体発光素子およびその製法
要約: front page image
(EN)The provision of concaves and convexes in a light transparent electrically conductive layer provided on the surface of a light emitting element comprising a nitride semiconductor can allow light emitted from a luminescent layer to repeat total reflection in a semiconductor stacked part and within a substrate, whereby light can effectively taken out without attenuation, and the external quantum efficiency can be improved. Nitride semiconductor layers including an n-type layer (3) and a p-type layer (5) are stacked on one side of a substrate (1) so as to form a luminescent layer to form a semiconductor stacked part (6), and a light transparent electrically conductive layer (7) is provided on the surface side of the semiconductor stacked part. A concave-convex pattern, i.e., a concave part (7a), is provided on the surface of the light transparent electrically conductive layer. A p-side electrode (8) is provided on the light transparent electrically conductive layer, and an n-side electrode (9) is electrically connected to the n-type layer in its part exposed by etching a part of the semiconductor stacked part.
(FR)La fourniture de surfaces concaves et convexes dans une couche électriquement conductrice transparente à la lumière à la surface d’un élément électroluminescent comprenant un semi-conducteur de nitrure peut permettre à la lumière émise d’une couche luminescente de répéter la réflexion totale dans une pièce empilée semi-conductrice et dans un substrat, la lumière pouvant être prélevée de manière efficace sans atténuation, tout en améliorant l’efficacité quantique externe. Les couches de semi-conducteur de nitrure comprenant une couche de type n (3) et une couche de type p (5) sont empilées sur un côté d'un substrat (1) pour constituer une couche luminescente formant une pièce empilée semi-conductrice (6), et une couche électriquement conductrice transparente à la lumière (7) est disposée à la surface de la pièce empilée semi-conductrice. Un motif concave-convexe, à savoir, une partie concave (7a), est disposé à la surface de la couche électriquement conductrice transparente à la lumière. Une électrode côté p (8) est disposée sur la couche électriquement conductrice transparente à la lumière, et une électrode côté n (9) est connectée électriquement à la couche de type n dans sa partie exposée par attaque chimique d’une partie de la pièce empilée semi-conductrice.
(JA) 窒化物半導体からなる発光素子の表面に設けられる透光性導電層に凹凸を形成することにより、発光層で発光した光が半導体積層部と基板内で全反射を繰り返して減衰させないで光を有効に取りだし、外部量子効率を向上させる。  基板1の一面上に、n形層(3)およびp形層(5)を含む窒化物半導体層が発光層を形成するように積層されることにより半導体積層部(6)が形成され、その半導体積層部の表面側に透光性導電層(7)が設けられている。この透光性導電層の表面に凹凸のパターン;凹部(7a)が形成されている。透光性導電層上にはp側電極(8)が設けられ、半導体積層部の一部をエッチングして露出するn形層に電気的に接続してn側電極(9)が設けられている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)