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1. (WO2007074872) スパッタリングターゲット構造体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/074872    国際出願番号:    PCT/JP2006/326070
国際公開日: 05.07.2007 国際出願日: 27.12.2006
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C22C 49/06 (2006.01), C22C 101/04 (2006.01), C22C 101/10 (2006.01), C22C 101/14 (2006.01), C22C 101/18 (2006.01), C22C 101/22 (2006.01)
出願人: ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY CO. LTD. [JP/JP]; 2259-9, Oobuchishiroyama, Fuji-shi, Shizuoka 4170801 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUNIYA, Tsutomu [JP/JP]; (JP).
SUZUKI, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TERASHI, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KUNIYA, Tsutomu; (JP).
SUZUKI, Nobuyuki; (JP).
TERASHI, Akira; (JP)
代理人: YAMAGUCHI, Iwao; 2-3-2, Higashigotanda Shinagawa-ku, Tokyo 141-0022 (JP)
優先権情報:
2005-376811 28.12.2005 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING TARGET STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタリングターゲット構造体
要約: front page image
(EN)Disclosed is a low-cost sputtering target structure which is excellent in machinability and thermal conductivity, while having good wettability to brazing filler materials. The sputtering target structure can be repeatedly used for a long time and is free from problems such as cracks or separation of the sputtering target. Specifically disclosed is a sputtering target structure obtained by joining a sputtering target with a backing plate, wherein the backing plate is made of a material having a linear expansion coefficient different from that of the sputtering target material by 2 × 10-6 /K or less, and a copper plate having a thickness of 0.3-1.5 mm is arranged on at least one surface of the backing plate.
(FR)L’invention concerne une structure de cible de pulvérisation cathodique de faible coût, excellente en matière d’usinabilité et de conductivité thermique, avec une bonne humectabilité pour matériaux de remplissage de brasage. La structure de cible de pulvérisation cathodique peut s’utiliser de façon répétée sur une période prolongée et est exempte de problèmes comme les fissures ou la séparation de la cible de pulvérisation cathodique. L’invention concerne en particulier une structure de cible de pulvérisation cathodique obtenue en joignant une cible de pulvérisation cathodique avec une plaque de renfort, la plaque de renfort étant réalisée en un matériau d’un coefficient d’expansion linéaire différent de celui du matériau de cible de pulvérisation cathodique de 2 x 10-6 /K ou moins, et une plaque de cuivre d’une épaisseur de 0,3-1,5 mm est disposée sur au moins une surface de la plaque de renfort.
(JA)【課題】機械加工性及び熱伝導性に優れ、ロウ材に対する濡れ性がよく、しかも安価であって、長期間繰返し使用することができ、スパッタリングターゲットの亀裂や剥がれの問題を引き起こすことのないスパッタリングターゲット構造体を提供する。 【解決手段】スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合してなるスパッタリングターゲット構造体であって、バッキングプレートがスパッタリングターゲット材との線膨張率の差が2×10-6/K以下である材料で構成され、バッキングプレートの少なくとも一面に厚さ0.3~1.5mmの銅板が配置されてなるスパッタリングターゲット構造体。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)